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IRF6655
21688
TO252/20+
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存全新原裝現(xiàn)貨熱賣
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終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
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原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 自家?guī)齑?/p>
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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
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一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
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原裝現(xiàn)貨
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨，專注配單
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IRF6655
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TO252/21+
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IRF6655
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只做現(xiàn)貨，一站式配單
IRF6655
DirectFET Power MOSFET Typical value...
IRF [International Rectifier]
IRF6655PDF下載
IRF6655PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6655PBFPDF下載
IRF6655TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRF6655TRPBFPDF下載
IRF6655TRPbF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6655TRPbFPDF下載
比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計(jì)，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開(kāi)關(guān)頻率。 設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低，因此無(wú)需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指
通信設(shè)備的-48v/-24v輸入有源oring、用于冗余ac-dc整流器的24v/48v輸出有源oring、用于多路輸出dc-dc及ac-dc電源的12v輸出有源oring，以及低電壓輸出的冗余vrm dc-dc處理器電源。 在12v輸出的系統(tǒng)中，只需并聯(lián)4個(gè)irf6609 directfet mosfet，便可組成能處理100a電流的oring電路。ir5001s還可以用于48v/24v系統(tǒng)的反向極性應(yīng)用，取代大型的d2pak二極管和昂貴的繼電器。 如果把ir5001s與100v的irf6655 directfet mosfet配合使用，可以提供30w到60w功率級(jí)的板上電源。采用小罐式封裝的irf6655比采用so-8封裝的體積減少一半，更適合功率較低的應(yīng)用系統(tǒng)。采用中罐式封裝的100w irf6644 directfet mosfet適用于功率較高的應(yīng)用，能提供250w到300w功率級(jí)的板上電源，而且無(wú)需使用多個(gè)并聯(lián)的so-8器件或體積更大的獨(dú)立封裝器件。 如果加入簡(jiǎn)單的電荷泵電路，ir5001s可加裝在-48v系統(tǒng)的接地oring端，以符合“先進(jìn)電信計(jì)算架構(gòu)”(atca)的
的四分之一磚設(shè)計(jì)，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開(kāi)關(guān)頻率。 設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低，因此無(wú)需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷
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