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IRF6636
22500
DirectFET ST/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
IRF6636
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IRF6636
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DirectFET Isometric ST/23+
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IRF6636
28000
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6636
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QFN/22+
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IRF6636
6500
DirectFETST/23+
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IRF6636
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QFN/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實(shí)單價(jià)格支持/優(yōu)勢(shì)渠道
IRF6636
6000
DirectFET/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 自家?guī)齑?/p>
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DPAK/25+
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IRF6636
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DirectFET/22+
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IRF6636
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DirectFET/22+
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IRF6636
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DirectFET Isometric ST/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6636
Low Resistance and Low Charge Along ...
IRF
IRF6636PDF下載
IRF6636
Low Resistance and Low Charge Along ...
IRF [International Rectifier]
IRF6636PDF下載
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IRF6636TRPBFPDF下載
國(guó)際整流器公司(international rectifier，簡(jiǎn)稱ir)推出新款20v directfet mosfet同步降轉(zhuǎn)換器芯片組——irf6610和irf6636。ir表示，這款小型罐式directfet mosfet對(duì)性能相當(dāng)于一對(duì)so-8 mosfet，但體積卻減少了40%，最適用于對(duì)尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負(fù)載點(diǎn)(point-of-load，簡(jiǎn)稱pol)設(shè)計(jì)。 ir臺(tái)灣分公司總經(jīng)理朱文義表示：“在12v計(jì)算機(jī)運(yùn)算系統(tǒng)中，irf6610和irf6636芯片組最適用于可支持5v至1v以下輸出電壓的高密度15a pol轉(zhuǎn)換器。以一個(gè)500khz pol轉(zhuǎn)換器為例，若采用這款芯片組，便能在1.5v下提供15a輸出電流，實(shí)現(xiàn)大于88%的效率?！?irf6610的閘電荷(gate charge)低至10nc，可將開關(guān)損耗減至最低，實(shí)現(xiàn)最佳控制場(chǎng)效應(yīng)管(fet)功能。irf6636則是一款多功能的directfet功率mosfet，其導(dǎo)通電阻為4.5mω，閘電荷低至18nc。它可耦合irf6610，成為專門針對(duì)15a應(yīng)用的同步場(chǎng)效應(yīng)管；又可配合irf
50%。 除此之外，設(shè)計(jì)工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對(duì)于應(yīng)用在0℃～125℃整個(gè)范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過(guò)采用溫度補(bǔ)償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點(diǎn)精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護(hù)功能。 在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個(gè)mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對(duì)高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因?yàn)樗臇艠O電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對(duì)于輸入至輸出的降壓比很高的特定場(chǎng)合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的 時(shí)間不長(zhǎng)，大部分損耗是開關(guān)損耗。 輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流最小。對(duì)于高紋波電流，電感值小可能導(dǎo)致非常大的輸出
除此之外，設(shè)計(jì)工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對(duì)于應(yīng)用在0℃～125℃整個(gè)范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過(guò)采用溫度補(bǔ)償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點(diǎn)精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護(hù)功能。 在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個(gè)mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對(duì)高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因?yàn)樗臇艠O電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對(duì)于輸入至輸出的降壓比很高的特定場(chǎng)合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的 時(shí)間不長(zhǎng)，大部分損耗是開關(guān)損耗。 輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流最小。對(duì)于高紋波電流，電感值小可能導(dǎo)致
IRF6637 IRF6638 IRF6641 IRF6641TRPBF IRF6643TRPBF IRF6644 IRF6645 IRF6646 IRF6648 IRF6655
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