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DirectFET Power MOSFET - Typical val...
IRF [International Rectifier]
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亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！?該器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù)，詳見以下網(wǎng)址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 產(chǎn)品基本規(guī)格如下： 器件 編號 封裝 bvdss (v) 10v下最大rds(on) (mohm) 10v下 典型rds(on) (mohm) vgs (v) 25&or
亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！?該器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù)，詳見以下網(wǎng)址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 ir的directfet mosfet封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動先進(jìn)微型處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理
ir亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！痹撈骷牡湫?0v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。 ir的directfet mosfet封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動先進(jìn)微型處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，directfet封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (rohs)。 irf6643trpb
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