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  • GaN正式登場 傳統(tǒng)功率器件將被替代

    事情。lidow博士提供的一些資料增加了說服力,在一個基于導(dǎo)通電阻性能帶來的不同材料功率器件成本比較中,第一代gan出色的性能遠(yuǎn)超si和sic,并且目前epc公司的兩款gan器件epc1010和epc1001所實現(xiàn)的封裝面積還遠(yuǎn)未到gan器件理論極限,“這也意味著,gan器件在優(yōu)化成本上的空間還很巨大,”lidow說。 在另一個有關(guān)功率器件品質(zhì)因數(shù)(fom)的比較圖中,epc1010分別同三家公司的的mosfet(vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641)進(jìn)行比較的結(jié)果也令人驚訝——epc1010的fom值較三者中表現(xiàn)最好的irf6641還要低將近20倍!fom =rds(on) x qg (200v),由此可見gan器件在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗兩項關(guān)鍵值上表現(xiàn)優(yōu)異。 lidow強調(diào),mosfet工作模式有兩類——耗盡型(depletion mode)和增強型(enhancement mode),即正常情況下導(dǎo)通和斷開兩種工作模式,epc采取了其中的增強型模式,其產(chǎn)品為egan型。而競爭者ir的gan產(chǎn)品為耗盡型模式,“以d類音頻放大為例,e

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