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IRF6635TR1PBF
2000
-/0737+
保證優(yōu)勢原裝現(xiàn)貨
IRF6635TR1PBF
35000
QFN/2009+
一定原裝/香港現(xiàn)貨
IRF6635
8000
TO220AB/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6635
68900
QFN/-
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
IRF6635
20000
32HLQFP/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6635
5945
DirectFET/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當(dāng)天發(fā)貨
IRF6635
28683
QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費(fèi)提供樣品
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9000
DirectFET Isometric MX/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6635
28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
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2599
QFN/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
IRF6635
52701
QFN/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
IRF6635
9400
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨
IRF6635
6500
QFN/23+
只做原裝現(xiàn)貨
IRF6635
9200
DIRECTFET/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
IRF6635
80000
QFN/2023+
一級(jí)代理，原廠排單到貨，可開原型號(hào)13%專用發(fā)票
IRF6635
6000
QFN/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢庫存 自家?guī)齑?/p>
IRF6635
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單
IRF6635
6000
QFN/22+
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
IRF6635
65428
QFN/22+
只做現(xiàn)貨，一站式配單
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DirectFET Power MOSFET
IRF
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IRF6635
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6635PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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IRF6635TRPbF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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國際整流器公司（international rectifier，簡稱ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v及36v到60v輸入橋式電路拓?fù)?、同步降壓非隔離式dc-dc電路拓?fù)?、針?duì)移動(dòng)通信的18v到36v輸入正激及推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級(jí)同步整流。 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的300w四分之一磚設(shè)計(jì)往往包含多達(dá)10個(gè)mosfet（4個(gè)初級(jí)和6個(gè)次級(jí)）、1個(gè)脈寬調(diào)制（pwm）集成電路及2個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路。ir的新芯片組方案則只有6個(gè)mosfet（4個(gè)初級(jí)和2個(gè)次級(jí)）及1個(gè)單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。 此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1
該款參考設(shè)計(jì)簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計(jì)包括完整的irdc2086-330w電路板，以及
到125℃時(shí)，rdson將增加50%。 除此之外，設(shè)計(jì)工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對(duì)于應(yīng)用在0℃～125℃整個(gè)范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過采用溫度補(bǔ)償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點(diǎn)精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護(hù)功能。 在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個(gè)mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對(duì)高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因?yàn)樗臇艠O電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對(duì)于輸入至輸出的降壓比很高的特定場合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的 時(shí)間不長，大部分損耗是開關(guān)損耗。 輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流
5℃上升到125℃時(shí)，rdson將增加50%。 除此之外，設(shè)計(jì)工程師還需要考慮傳感元件的工藝偏差，此偏差可能高達(dá)30%(圖2)。這意味著對(duì)于應(yīng)用在0℃～125℃整個(gè)范圍的20a系統(tǒng)，電流限值必須設(shè)置成平均值38a，這要求使用額定電流為45a的電感和mosfet。通過采用溫度補(bǔ)償和板上校準(zhǔn)，電流限值可能更苛刻，設(shè)置點(diǎn)精度優(yōu)于5%。這樣，電流限值將降低到平均22a，可以選擇25a電感和mosfet。所選的元件將更小、成本更低，而且能提供更精確的保護(hù)功能。 在考慮到這些要求后，選擇irf6635作為低壓側(cè)mosfet。irf6636的額定漏電流在70°c溫度下為25a，rdson非常低(在4.5v下為1.8 mω)，可以最大程度地降低傳導(dǎo)損耗。將兩個(gè)mosfet并聯(lián)可以提高電流，并保持器件的電流額定值(在高壓側(cè)也如此)。對(duì)高壓側(cè)mosfet選擇irf6636是因?yàn)樗臇艠O電荷(qg)低，開關(guān)損耗最小。對(duì)于輸入至輸出的降壓比很高的特定場合，高壓側(cè)mosfet保持導(dǎo)通的 時(shí)間不長，大部分損耗是開關(guān)損耗。 輸入和輸出電容的選擇要滿足總體瞬態(tài)目標(biāo)，并使輸入和輸出紋波電流最小。對(duì)于高
該款參考設(shè)計(jì)簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計(jì)包括完整的irdc2086-330w電路板，以及存有用
國際整流器公司(international rectifier，簡稱ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 irf6646和irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v和36v到60v輸入橋式電路拓?fù)洹⑼浇祲悍歉綦x式dc-dc電路拓?fù)?、針?duì)移動(dòng)通信的18v到36v輸入正激和推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級(jí)同步整流。ir的新芯片組方案只有6個(gè)mosfet (4個(gè)初級(jí)和2個(gè)次級(jí))和1個(gè)單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為9.5mω，可針對(duì)初級(jí)橋式電路拓?fù)溥M(jìn)行定制。irf6635 30v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為1.8mω ，是
w。 該款參考設(shè)計(jì)簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高壓ic技術(shù)與一流的directfet mosfet封裝技術(shù)配合，可使溫度比標(biāo)準(zhǔn)方案降低40°c，從而增加系統(tǒng)的可靠性?！?ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成
30w。 該款參考設(shè)計(jì)簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計(jì)包括完整的irdc2086-330w電路板，以及存有用戶指
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