-
-
- 手機(jī)版
-
- 芯視頻 APP
-
- 微信公眾號(hào)
-
- 維庫(kù)官方抖音
-
- 微信頭條號(hào)
-
- |
-
- |
- |
- |
IRF6646TRPBF
3280
QFN/2023+
原裝現(xiàn)貨 假一罰十
IRF6646TRPBF
19200
QFN/1049+
一定原裝/香港現(xiàn)貨
IRF6646TRPBF
25000
QFN/22+
原裝原裝，一站配齊
IRF6646TR1PBF
1000
QFN/22+
優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存，支持實(shí)單
IRF6646
28683
QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費(fèi)提供樣品
IRF6646
4770
SMD/06+
-
IRF6646
12500
SOP/23+
全新原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
IRF6646
175235
SMD/24+
原裝不僅銷售也回收
IRF6646
30000
SOP/2022+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，原裝 假一罰十
IRF6646
105000
SOP/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
IRF6646
13352
ROHS/2025+
一級(jí)代理，原裝假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
IRF6646
53996
-/25+
原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來(lái)電或QQ洽談
IRF6646
16000
SOP/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6646
8000
TO220AB/2023+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6646
20000
N/A/19+
原裝正品熱賣，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
IRF6646
52701
SMD/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
IRF6646
9400
SMD/23+
原裝現(xiàn)貨
IRF6646
379986
DirectFET/-
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
IRF6646
168000
SMD/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實(shí)單價(jià)格支持/優(yōu)勢(shì)渠道
IRF6646
5000
SMD/06+
原裝正品，配單能手
IRF6646
DirectFET Power MOSFET
IRF
IRF6646PDF下載
IRF6646
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6646PDF下載
IRF6646TRPBF
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
IRF6646TRPBFPDF下載
IRF6646TRPBF
Benchmark MOSFETs Product Selection ...
IRF
IRF6646TRPBFPDF下載
IRF6646TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, 80V, MN; Trans...
International Rectifier
IRF6646TR1PBFPDF下載
國(guó)際整流器公司（international rectifier，簡(jiǎn)稱ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v及36v到60v輸入橋式電路拓?fù)?、同步降壓非隔離式dc-dc電路拓?fù)洹⑨槍?duì)移動(dòng)通信的18v到36v輸入正激及推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級(jí)同步整流。 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的300w四分之一磚設(shè)計(jì)往往包含多達(dá)10個(gè)mosfet（4個(gè)初級(jí)和6個(gè)次級(jí)）、1個(gè)脈寬調(diào)制（pwm）集成電路及2個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路。ir的新芯片組方案則只有6個(gè)mosfet（4個(gè)初級(jí)和2個(gè)次級(jí)）及1個(gè)單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。 此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1
fet芯片組的參考設(shè)計(jì)irdc2086－330w。 該款參考設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開(kāi)發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場(chǎng)效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場(chǎng)效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開(kāi)關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。
et功率mosfet芯片組的參考設(shè)計(jì)irdc2086－330w。 該款參考設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開(kāi)發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場(chǎng)效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場(chǎng)效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開(kāi)關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新
國(guó)際整流器公司(international rectifier，簡(jiǎn)稱ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 irf6646和irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v和36v到60v輸入橋式電路拓?fù)?、同步降壓非隔離式dc-dc電路拓?fù)洹⑨槍?duì)移動(dòng)通信的18v到36v輸入正激和推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級(jí)同步整流。ir的新芯片組方案只有6個(gè)mosfet (4個(gè)初級(jí)和2個(gè)次級(jí))和1個(gè)單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為9.5mω，可針對(duì)初級(jí)橋式電路拓?fù)溥M(jìn)行定制。irf6635 30v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為1.8mω ，是
ectfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計(jì)irdc2086－330w。 該款參考設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開(kāi)發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場(chǎng)效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場(chǎng)效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開(kāi)關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500khz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參
tfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計(jì)irdc2086－330w。 該款參考設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開(kāi)發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v（35a）非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場(chǎng)效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場(chǎng)效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括ir2086s初級(jí)全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet，其中4顆irf6646 80v directfet初級(jí)mosfet，4顆irf6635 30v directfet次級(jí)同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet）用于偏置開(kāi)關(guān)和次級(jí)箝位（2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高壓ic技術(shù)與一流的directfet mosfet封裝技術(shù)配合，可使溫度比標(biāo)準(zhǔn)方案降低40°c，從而增加系統(tǒng)的可靠性?！?ir2086s
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
