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IRF6722S
20000
SO8/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6722S
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FET ST/21+
終端可免費(fèi)供樣，支持BOM配單
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原裝現(xiàn)貨
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6560
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原裝，公司現(xiàn)貨
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19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
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DIRECTFET ST/22+
代理直銷進(jìn)口原裝
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原廠原裝現(xiàn)貨
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費(fèi)送樣
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
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DirectFET Power MOSFET
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DirectFET Power MOSFET
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MOSFET, N, DIRECTFET ST; Transistor ...
International Rectifier
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ectfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個(gè)負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實(shí)現(xiàn)每相位25a的操作，同時(shí)保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。 來源:ks99
器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個(gè)負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實(shí)現(xiàn)每相位25a的操作，同時(shí)保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。
件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個(gè)負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實(shí)現(xiàn)每相位25a的操作，同時(shí)保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on)特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(rohs)，并已接受批量訂單。
比標(biāo)準(zhǔn)so-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低，同時(shí)把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。
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