IRF6722S
8000
TO262/2024+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
IRF6722S
20000
SO8/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6722S
16000
FET ST/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6722S
8000
TO262/2023+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
IRF6722S
6000
FET ST/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢庫存 自家?guī)齑?/p>
IRF6722S
6000
FET ST/22+
終端可免費供樣,支持BOM配單
IRF6722S
24500
-/-
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
IRF6722S
8000
DirectFET ST/22+
只做原裝
IRF6722S
7000
FET ST/21+
終端可免費供樣,支持BOM配單
IRF6722S
6000
FET ST/22+
原裝現(xiàn)貨
IRF6722S
6560
FET ST/09+
原裝,公司現(xiàn)貨
IRF6722SPBF
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
IRF6722STR1PBF
1000
14+ROHS/QFN
原裝正品
IRF6722STR1PBF
48000
DIRECTFET ST/24+
原裝現(xiàn)貨,可開專票,提供賬期服務(wù)
IRF6722STR1PBF
68900
QFN/-
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
IRF6722STR1PBF
23000
-/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當天發(fā)貨
IRF6722STR1PBF
4250
NA//23+
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
IRF6722STR1PBF
9000
DirectFET Isometric ST/23+
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IRF6722STR1PBF
2000
QFN/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
IRF6722STR1PBF
52701
QFN/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
ectfet封裝,新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性,可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作,同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積。” irf6724m、irf6725m、irf6726m,以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性,非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積,所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd,使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇,可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs),并已接受批量訂單。 來源:ks99
器件和directfet封裝,新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性,可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作,同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?!?irf6724m、irf6725m、irf6726m,以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性,非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積,所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd,使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇,可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs),并已接受批量訂單。
件和directfet封裝,新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性,可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作,同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?!?irf6724m、irf6725m、irf6726m,以及irf6727m具有極低的rds(on)特性,非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積,所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd,使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇,可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(rohs),并已接受批量訂單。
比標準so-8器件的占位面積小40%,而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低,同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少,并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m,以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性,非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積,所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd,使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇,可以使設(shè)計更具靈活性。