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IRF6727MTRPBF
5780
MGWDSON5/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持一站式BOM配單
IRF6727MTRPBF
25000
MGWDSON5/22+
原裝原裝，一站配齊
IRF6727MTRPBF
55000
QFN/22+
優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存，支持實單
IRF6727MTRPBF
9782
7Pin/18+
盤裝/4800
IRF6727M
20000
SOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6727M
16000
DirectFET MX/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6727M
8000
Micro3/SOT23/2023+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6727M
6000
DirectFET MX/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢庫存 自家?guī)齑?/p>
IRF6727M
6000
DirectFET MX/22+
終端可免費供樣,支持BOM配單
IRF6727M
8800
-/24+
原廠授權(quán)代理商主營IGBT模塊 可控硅模塊 二極管 晶
IRF6727M
32568
DirectFET MX/18+
一級代理進口原裝長期供應絕對優(yōu)勢價格誠信經(jīng)營
IRF6727M
8000
Micro3/SOT23/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6727M
8000
DirectFET MX/22+
只做原裝
IRF6727M
50000
MGWDSON5/22+
原裝
IRF6727M
7000
DirectFET MX/21+
終端可免費供樣，支持BOM配單
IRF6727M
6000
DirectFET MX/22+
原裝現(xiàn)貨
IRF6727M
6560
FET MX/09+
原裝，公司現(xiàn)貨
IRF6727M
6697
MGWDSON5/23+
原裝，授權(quán)代理
IRF6727M(TR1)PBF
1
N/A/25+
回收此型號IRF6727M(TR1)PBF
IRF6727MPBF
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
IRF6727MPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6727MPBFPDF下載
IRF6727MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6727MTRPBFPDF下載
IRF6727MTRPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6727MTRPBFPDF下載
導通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。 來源:ks99
該系列結(jié)合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技術(shù)與先進的directfet封裝技術(shù)，比標準so-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。導通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關(guān)損耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。
計。新一代30v器件的導通電阻(rds(on))非常低，同時把柵極電荷(qg)和柵漏極電荷(qgd)減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on)特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(rohs)，并已接受批量訂單。
30v器件的導通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。
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