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IRF6678
8000
IPak/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
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41800
TSSOP/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
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DirectFET/1823+
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
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20000
TO204AA/2024+
17%原裝.深圳送貨
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-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨
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QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品
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31019
N/A/24+
只做原裝合作一次終身受益
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60701
TSSOP/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照
IRF6678
29078
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務(wù)型企業(yè)
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5000
TSSOP/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
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105000
TO251/23+
十年配單，只做原裝
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8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
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7300
DirectFET/25+
行業(yè)十年，價格超越代理， 支持權(quán)威機構(gòu)檢測
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28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
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52701
DirectFET/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
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9400
TSSOP/23+
原裝現(xiàn)貨
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12260
TSSOP/23+
高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
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168000
DirectFET/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道
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9200
TSSOP/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
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DirectFET Power MOSFET
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MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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DirectFET Power MOSFET
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IRF6678TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6678TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MX; Trans...
International Rectifier
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設(shè)計，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐（st）directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐（mp）directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐（mx）directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。 新的芯片組有助于電路設(shè)計人員縮減高頻、大電流dc-dc轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進的電信和數(shù)
tel和amd處理器的筆記本電腦設(shè)計。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低(低導(dǎo)通電阻)，逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐(st) directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐(mp) directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。 新的芯片組有助于電路設(shè)計人員縮減高頻、大電流dc-dc轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進的電信和數(shù)據(jù)通
小、需要提高電池使用效率的移動計算應(yīng)用。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低(低導(dǎo)通電阻)，逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐(st)directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐(mp)directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐(mx)directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。 新的芯片組有助于電路設(shè)計人員縮減高頻、大電流dc-dc轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，
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