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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>irf6662 更新時間:2025-09-01 03:49:01

irf6662供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • IRF6662PBF

  • 優(yōu)勢

  • 4800

  • Infenion

  • WDSON5/2135+

  • 可以低于市場價格，15年銷售經(jīng)驗，原裝公司現(xiàn)貨庫存可...

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irf6662價格行情

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歷史最低報價：￥0.0000 歷史最高報價：￥0.0000 歷史平均報價：￥0.0000

irf6662中文資料

  • 典型關(guān)斷延遲時間:

    24 ns

  • 典型接通延遲時間:

    11 ns

  • 典型柵極電荷@Vgs:

    22 nC V @ 10

  • 典型輸入電容值@Vds:

    1360 pF V @ 25

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 寬度:

    5.05mm

  • 封裝類型:

    DirectFET MZ

  • 尺寸:

    5.45 x 5.05 x 0.6mm

  • 引腳數(shù)目:

    7

  • 最低工作溫度:

    -40 °C

  • 最大功率耗散:

    2800 mW

  • 最大柵源電壓:

    ±20 V

  • 最大漏源電壓:

    100 V

  • 最大漏源電阻值:

    0.022

  • 最大連續(xù)漏極電流:

    8.3 A

  • 最高工作溫度:

    +150 °C

  • 每片芯片元件數(shù)目:

    1

  • 類別:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增強

  • 通道類型:

    N

  • 配置:

    雙源、四漏極、單

  • 長度:

    5.45mm

  • 高度:

    0.6mm

  • IR最新小封裝200V DirectFET MOSFET效率高達95%

    rpbf與其他采用次級同步整流插座的增強so-8器件相比，當(dāng)每個插座所使用的增強so-8器件的數(shù)目相同時，新的directfet器件的效率可提高0.4%。此外，當(dāng)每個插座使用兩個增強so-8器件時，ir的新器件也能提供同樣7安培的電流和滿載效率。在同一項分析中，每個插座如果采用兩顆irf6641trpbf器件的電路，mosfet溫度是最低的。 新器件有一個共用mz占位面積，可以方便地將應(yīng)用轉(zhuǎn)換至其他中電壓directfet mosfet，例如具有可接受的增加電流電平和更低電壓的100v irf6662器件。 新的irf6641trpbf directfet moset現(xiàn)已供貨，其基本規(guī)格如下： ir已獲專利的directfet mosfet封裝具有以往標(biāo)準塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計優(yōu)點。其金屬罐結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻功能，使應(yīng)用于驅(qū)動先進微型處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。此外，directfet封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(rohs)。 相關(guān)文章 技術(shù)文庫 • 采用多相操作技術(shù)提高升壓型

  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高達95%

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  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高達95%

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  • IR最新MOSFET效率高達95%

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irf6662替代型號

IRF6655 IRF6648 IRF6646 IRF6645 IRF6644 IRF6643TRPBF IRF6641TRPBF IRF6641 IRF6638 IRF6637

IRF6665 IRF6678 IRF6691 IRF6722M IRF6722S IRF6725M IRF6726M IRF6727M IRF6775M IRF7101

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ICS9LPRS365BGLFT IPD70N03S4L-04 IRFP22N60K IRFR3710ZTRPBF ISL6266AHRZ IRF530NPBF IRU3037CSTRPBF IS62LV256AL-45ULI IRF3808PBF IRF6715MTRPBF

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