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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>irf6726m 更新時間:2025-08-26 23:29:29

irf6726m供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • IRF6726MTRPBF

  • 嚴(yán)選現(xiàn)貨

    嚴(yán)選現(xiàn)貨= 現(xiàn)貨+好口碑+品質(zhì)承諾

    帶有此標(biāo)記的料號：

    1. 表示供應(yīng)商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經(jīng)維庫認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。

    2. 供應(yīng)商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎勵您500元。

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irf6726m中文資料

  • IR推出適合CPU電源應(yīng)用的30V DirectFET MOSFET系列

    計。新一代30v器件的導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準(zhǔn)的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。 來源:ks99

  • IR推出適合CPU電源應(yīng)用的30V DirectFET MOSFET系列

    7mm纖薄設(shè)計。新一代30v器件的導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準(zhǔn)的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。

  • IR推適合CPU電源應(yīng)用的30V MOSFET系列

    采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30v器件的導(dǎo)通電阻(rds(on))非常低，同時把柵極電荷(qg)和柵漏極電荷(qgd)減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準(zhǔn)的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on)特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(rohs)，并已接受批量訂單。

  • 專為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計的30V DirectFET MOSFET

    該系列結(jié)合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技術(shù)與先進(jìn)的directfet封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)so-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。

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IRF6725M IRF6722S IRF6722M IRF6691 IRF6678 IRF6665 IRF6662 IRF6655 IRF6648 IRF6646

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