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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>irf6641trpbf 更新時(shí)間:2025-08-31 12:11:52

irf6641trpbf供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • IRF6641TRPBF

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  • Infineon Technologies

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irf6641trpbf中文資料

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    4,800

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 家庭:

    FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 特點(diǎn):

    標(biāo)準(zhǔn)型

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

    4.6A

  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    59.9 毫歐 @ 5.5A，10V

  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:

    4.9V @ 150µA

  • 閘電荷(Qg) @ Vgs:

    48nC @ 10V

  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds:

    2290pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    2.8W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    DirectFET? 等容 MZ

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    DIRECTFET? MZ

  • 包裝:

    帶卷 (TR)

  • 其它名稱:

    IRF6641TRPBF-NDIRF6641TRPBFTR

  • IR最新MOSFET效率高達(dá)95%

    ir推出irf6641trpbf功率mosfet，采用ir標(biāo)準(zhǔn)的directfet封裝技術(shù)結(jié)合ir最新的200vhexfet mosfet硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。 ir 新推出的 200v directfet 器件是應(yīng)用于專為 36v 至 75v 通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式 設(shè)計(jì)dc-dc轉(zhuǎn)換器。其超低的 51 mω典型10v 導(dǎo)通電阻rds(on) 及減低了的柵極電荷，使irf6641trpbf特別適合應(yīng)用于高效同步整流mosfet、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的 dc-dc 轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、dc 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的 48v 變頻器的同步整流。在 48v 通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流 ac-dc 轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。 ir 的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。irf6641trpbf 與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng) so-8 器件相比，當(dāng)每個(gè)插座所使用的增強(qiáng) so-8 器件的數(shù)目相同時(shí)，新的 directfet 器件的效率可提高 0.4% 。此外，當(dāng)每個(gè)插座使用兩個(gè)增強(qiáng)so-8器件時(shí)，ir 的新器件也能提供同樣

  • IR最新200V DirectFET MOSFET效率高達(dá)95% 并大幅節(jié)省占位空間

    國(guó)際整流器公司 (ir) 推出irf6641trpbf功率mosfet，采用ir標(biāo)準(zhǔn)的directfet封裝技術(shù)結(jié)合ir最新的200v hexfet mosfet硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)95%的效率。 ir新推出的200v directfet器件是應(yīng)用于專為36v至75v通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式設(shè)計(jì)dc-dc轉(zhuǎn)換器。其超低的51 mω典型10v導(dǎo)通電阻rds(on) 及減低了的柵極電荷，使irf6641trpbf特別適合應(yīng)用于高效同步整流mosfet、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的 dc-dc 轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、dc 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的48v變頻器的同步整流。在48v通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流ac-dc轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。 ir亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的200v directfet mosfet的電流額定值達(dá)到25安培，但面積僅與0.7毫米高度的so-8封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗。一顆directfet moset就能比較兩顆或三顆so-8器件節(jié)省超過(guò)50% 的空間。” ir

  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高達(dá)95%

    國(guó)際整流器公司(international rectifier，ir)新推出的200v directfet器件應(yīng)用于專為36v至75v通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式設(shè)計(jì)dc-dc轉(zhuǎn)換器。其超低的51 mω典型10v導(dǎo)通電阻rds(on)及減低了的柵極電荷，使irf6641trpbf特別適合應(yīng)用于高效同步整流mosfet、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的dc-dc轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、dc馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的48v變頻器的同步整流。在48v通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流ac-dc轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。 ir亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的200v directfet mosfet的電流額定值達(dá)到25安培，但面積僅與0.7毫米高度的so-8封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗。1顆directfet moset就能較2或3顆so-8器件節(jié)省超過(guò)50%的空間?！?ir的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。irf6641trpbf與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng)so-8器件相比

  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高達(dá)95%

    國(guó)際整流器公司(international rectifier，ir)新推出的200v directfet器件應(yīng)用于專為36v至75v通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式設(shè)計(jì)dc-dc轉(zhuǎn)換器。其超低的51 mω典型10v導(dǎo)通電阻rds(on)及減低了的柵極電荷，使irf6641trpbf特別適合應(yīng)用于高效同步整流mosfet、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的dc-dc轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、dc馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的48v變頻器的同步整流。在48v通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流ac-dc轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。 ir亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的200v directfet mosfet的電流額定值達(dá)到25安培，但面積僅與0.7毫米高度的so-8封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗。1顆directfet moset就能較2或3顆so-8器件節(jié)省超過(guò)50%的空間?！?ir的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。irf6641trpbf與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng)so-8器件相比，當(dāng)每個(gè)插座所使用的增強(qiáng)so-8器件的數(shù)目

  • IR最新小封裝200V DirectFET MOSFET效率高達(dá)95%

    ir新推出的200v directfet器件是應(yīng)用于專為36v至75v通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式 設(shè)計(jì)dc-dc轉(zhuǎn)換器。其超低的51 mω典型10v導(dǎo)通電阻rds(on)及減低了的柵極電荷，使irf6641trpbf特別適合應(yīng)用于高效同步整流mosfet、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的dc-dc轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、dc馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的48v變頻器的同步整流。在48v通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流ac-dc轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。 ir亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的200v directfet mosfet的電流額定值達(dá)到25安培，但面積僅與0.7毫米高度的so-8封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗。一顆directfet moset就能比較兩顆或三顆so-8器件節(jié)省超過(guò)50%的空間。” ir的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。irf6641trpbf與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng)so-8器件相比，當(dāng)每個(gè)插座所使用的增強(qiáng)so-8器件的數(shù)目相同時(shí)，新的directfet

irf6641trpbf替代型號(hào)

IRF6641 IRF6638 IRF6637 IRF6636 IRF6635 IRF6633 IRF6631 IRF6628 IRF6622 IRF6621

IRF6643TRPBF IRF6644 IRF6645 IRF6646 IRF6648 IRF6655 IRF6662 IRF6665 IRF6678 IRF6691

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