電路結(jié)構(gòu)與條件限制

1. VCC_S1 <= VCC_S2。這是為了保證電路能夠正常實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換，確保信號(hào)從低電壓端向高電壓端或者從高電壓端向低電壓端的穩(wěn)定傳輸。
2. S1 的低電平門限大于 0.7V 左右（視 NMOS 內(nèi)的二極管壓降而定）。這個(gè)條件是為了避免因低電平過低而導(dǎo)致 NMOS 管誤動(dòng)作，影響電路的正常工作。
3. Vgs <= VCC_S1。Vgs 是 MOS 管的柵源電壓，此條件限制了 MOS 管的柵源電壓范圍，防止因過高的電壓損壞 MOS 管。
4. Vds <= VCC_S2。Vds 是 MOS 管的漏源電壓，該條件保證了 MOS 管在正常工作時(shí)，漏源電壓不會(huì)超過其所能承受的范圍，從而保證 MOS 管的安全和電路的穩(wěn)定性。

電平轉(zhuǎn)換器的操作狀態(tài)

1. 沒有器件下拉總線線路：“低電壓” 部分的總線線路通過上拉電阻 Rp 上拉至 3.3V。此時(shí)，MOS - FET 管的門極和源極都是 3.3V，所以它的 VGS 低于閥值電壓，MOS - FET 管不導(dǎo)通。這就允許 “高電壓” 部分的總線線路通過它的上拉電阻 Rp 拉到 5V。此時(shí)兩部分的總線線路都是高電平，只是電壓電平不同。這種狀態(tài)下，電路實(shí)現(xiàn)了電平的隔離和不同電壓的保持。
2. 一個(gè) 3.3V 器件下拉總線線路到低電平：MOS - FET 管的源極也變成低電平，而門極是 3.3V。VGS 上升高于閥值，MOS - FET 管開始導(dǎo)通。然后 “高電壓” 部分的總線線路通過導(dǎo)通的 MOS - FET 管被 3.3V 器件下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。這種狀態(tài)下，實(shí)現(xiàn)了 3.3V 信號(hào)對(duì) 5V 總線的控制，將低電壓信號(hào)傳遞到了高電壓端。
3. 一個(gè) 5V 的器件下拉總線線路到低電平：MOS - FET 管的漏極基底二極管 “低電壓” 部分被下拉直到 VGS 超過閥值，MOS - FET 管開始導(dǎo)通。“低電壓” 部分的總線線路通過導(dǎo)通的 MOS - FET 管被 5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。這種狀態(tài)下，實(shí)現(xiàn)了 5V 信號(hào)對(duì) 3.3V 總線的控制，將高電壓信號(hào)傳遞到了低電壓端。

MOS - N 場(chǎng)效應(yīng)管雙向電平轉(zhuǎn)換電路

• A 端輸出低電平時(shí)（0V）：MOS 管導(dǎo)通，B 端輸出是低電平（0V）。這是因?yàn)?A 端的低電平使得 MOS 管的柵源電壓滿足導(dǎo)通條件，從而將 B 端拉低。
• A 端輸出高電平時(shí)（3.3V）：MOS 管截至，B 端輸出是高電平（5V）。此時(shí)，由于 A 端的高電平使得 MOS 管不導(dǎo)通，B 端通過上拉電阻保持在高電平。
• A 端輸出高阻時(shí)（OC）：MOS 管截至，B 端輸出是高電平（5V）。高阻狀態(tài)相當(dāng)于 A 端沒有對(duì) MOS 管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，MOS 管不導(dǎo)通，B 端保持高電平。
• B 端輸出低電平時(shí)（0V）：MOS 管內(nèi)的二極管導(dǎo)通，從而使 MOS 管導(dǎo)通，A 端輸出是低電平（0V）。B 端的低電平通過二極管使 MOS 管導(dǎo)通，進(jìn)而將 A 端拉低。
• B 端輸出高電平時(shí)（5V）：MOS 管截至，A 端輸出是高電平（3.3V）。B 端的高電平使得 MOS 管不導(dǎo)通，A 端通過上拉電阻保持在高電平。
• B 端輸出高阻時(shí)（OC）：MOS 管截至，A 端輸出是高電平（3.3V）。同樣，高阻狀態(tài)下 B 端不對(duì) MOS 管產(chǎn)生影響，MOS 管不導(dǎo)通，A 端保持高電平。

電路優(yōu)點(diǎn)

1. 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換，價(jià)格低廉：該電路在低頻信號(hào)的電平轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色，而且由于其僅使用了幾個(gè)簡(jiǎn)單的電阻和一個(gè) MOS 管，成本較低，適合大規(guī)模應(yīng)用。
2. 導(dǎo)通后，壓降比三極管?。合啾热龢O管，MOS 管在導(dǎo)通時(shí)的壓降更小，這意味著在信號(hào)傳輸過程中，能量損耗更小，能夠提高電路的效率。
3. 正反向雙向?qū)?，相?dāng)于機(jī)械開關(guān)：該電路能夠?qū)崿F(xiàn)正反向的雙向?qū)?，就像機(jī)械開關(guān)一樣，可以靈活地控制信號(hào)的傳輸方向，滿足不同的電路需求。
4. 電壓型驅(qū)動(dòng)，當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動(dòng)電流，而且有的應(yīng)用也許比三極管大：雖然 MOS 管是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，但在某些應(yīng)用中，其所需的驅(qū)動(dòng)電流可能比三極管大。不過，這并不影響其在很多場(chǎng)合的應(yīng)用，因?yàn)槠淦渌麅?yōu)點(diǎn)足以彌補(bǔ)這一小小的不足。