什么是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的知識(shí)介紹
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）知識(shí)介紹有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Organic Field-Effect Transistor, OFET）是一種采用有機(jī)半導(dǎo)體材料作為活性層的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。與傳統(tǒng)硅基FET不同，OFET具有柔性、可溶液加工、低成本等優(yōu)勢(shì)，在...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-05-30 閱讀：299 關(guān)鍵詞：有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
什么是單結(jié)晶體管,單結(jié)晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)別是什么
單結(jié)晶體管（Unijunction Transistor，簡(jiǎn)稱UJT）是一種具有單一PN結(jié)的半導(dǎo)體器件，通常用于振蕩器電路和脈沖電路中。它與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（如NPN或PNP型晶體管）不同，只有一個(gè)PN結(jié)。UJT在結(jié)構(gòu)上只有三個(gè)引腳：一...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-02-17 閱讀：396
了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和操作。 晶體管是當(dāng)今電子電路中必不可少的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩個(gè)主要功能。首先，作為它們的真空管前身，三極管，它們可以放大電信號(hào)。...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-02-26 閱讀：604 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第 4 代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能領(lǐng)先地位，并擴(kuò)大了其突破性...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-21 閱讀：768 關(guān)鍵詞：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 由稱為襯底的 N 型材料棒制成，其中擴(kuò)散了 P 型結(jié)（柵極）。對(duì)于漏極上的正電壓，相對(duì)于源極，電子電流通過 CHANNEL 從源極流向漏極。 如果柵極相對(duì)于源極為負(fù)，則會(huì)產(chǎn)生靜電場(chǎng)，擠壓溝道并降...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-02-02 閱讀：540 關(guān)鍵詞：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。 全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-06-01 閱讀：735 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
quan球行業(yè)ling先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，zui新推出100 V、典型值為1.7 mΩ 的EPC2071氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-05-17 閱讀：477 關(guān)鍵詞：晶體管
晶體管工作原理 利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看下。下圖中的S是指源極（Source），D是指漏極（Drain），G是柵極（Gate）。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-03-25 閱讀：984 關(guān)鍵詞：晶體管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理晶體管
六大技巧下手，正確挑選場(chǎng)效應(yīng)晶體管
溝道類型 挑選好場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當(dāng)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管接地，而負(fù)載接入到干線電壓上時(shí)，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-05-13 閱讀：736 關(guān)鍵詞：六大技巧下手，正確挑選場(chǎng)效應(yīng)晶體管單片機(jī)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用的四點(diǎn)注意事項(xiàng)！
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-01-15 閱讀：758 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用的四點(diǎn)注意事項(xiàng)！晶體管
不容錯(cuò)過！場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-01-03 閱讀：592 關(guān)鍵詞：不容錯(cuò)過！場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2016-05-20 閱讀：819 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧
電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
前言： 在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2009-12-12 閱讀：3160 關(guān)鍵詞：電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)FQA9N90C電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GB T 6219-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 篇 １GHｚ、５W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GBT6219-1998半導(dǎo)體器件分立器件第8部分場(chǎng)效應(yīng)晶體管第一篇１GHｚ、５W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.rar建議用9.0版PDF閱覽器查看此技術(shù)資料下載址：http://www.yinghuochong.com/disk/34623
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GBT 15449-1995管殼額定開關(guān)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.exe
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GB-T 6219-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 篇 1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GB-T6219-1998半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.rar建議用9.0版PDF閱覽器查看此技術(shù)資料下載址：http://www.yinghuochong.com/disk/346
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分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2009-05-06 閱讀：1432 關(guān)鍵詞：GBT_15450-1995硅雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.exe
