SJ_2748-1987_微波低噪聲單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.exe
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分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2009-05-06 閱讀：1430 關(guān)鍵詞：SJ_2748-1987_微波低噪聲單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范.exe
場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷及使用時(shí)注意事項(xiàng)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2008-09-08 閱讀：1884 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的使用概述
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：1.MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-06-24 閱讀：2223 關(guān)鍵詞：MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)
常用場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的識(shí)別
1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。2、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-06-24 閱讀：2604 關(guān)鍵詞：常用場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的識(shí)別
安華高面向無(wú)線通信應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的場(chǎng)效應(yīng)晶體管
安華高科技近日宣布，推出業(yè)內(nèi)封裝尺寸最小的場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品，尺寸大小僅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，這些超小型低厚度分立式低噪器件占用空間只有標(biāo)準(zhǔn)SOT-343封裝的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通過(guò)采用Avago創(chuàng)新...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2008-06-03 閱讀：1802 關(guān)鍵詞：安華高面向無(wú)線通信應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的場(chǎng)效應(yīng)晶體管
改良電極結(jié)構(gòu) 創(chuàng)新有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管出爐
在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部、中國(guó)科學(xué)院的大力支持下，化學(xué)所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究人員與中科院微電子所科技人員合作，在高性能、低成本有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究方面取得新進(jìn)展，有關(guān)研究成果申請(qǐng)了中國(guó)發(fā)明專...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2007-12-15 閱讀：1288 關(guān)鍵詞：改良電極結(jié)構(gòu) 創(chuàng)新有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管出爐
NS推出全新的遲滯式P場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓控制器
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NS)推出一款可支持高效率系統(tǒng)的遲滯P場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-FET)降壓控制器。這款型號(hào)為L(zhǎng)M3475的控制器芯片采用極小巧的SOT23-5封裝，其特點(diǎn)是設(shè)有可以簡(jiǎn)精系統(tǒng)設(shè)計(jì)的遲滯控制電路。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師只要...
分類：工業(yè)電子 時(shí)間：2007-12-03 閱讀：2068 關(guān)鍵詞：NS推出全新的遲滯式P場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓控制器SOT23-5LM3475
東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工作頻率可達(dá)Ku波段
據(jù)EEPW網(wǎng)站報(bào)道，東芝公司（ToshibaCorporation）日前宣布其已開(kāi)發(fā)了用于Ku波段（12GHz到18GHz）頻率范圍的氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），使該頻率范圍在14.5GHz上實(shí)現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2007-11-13 閱讀：1527 關(guān)鍵詞：東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工作頻率可達(dá)Ku波段
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2007-06-08 閱讀：6711 關(guān)鍵詞：功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFETIRFP450UC3724UC3725
國(guó)家半導(dǎo)體公司(NationalSemiconductorCorporation)推出一款可支持高效率系統(tǒng)的遲滯P場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-FET)降壓控制器。這款型號(hào)為L(zhǎng)M3475的控制器芯片采用極小巧的SOT23-5封裝，其特點(diǎn)是設(shè)有可以簡(jiǎn)精系統(tǒng)設(shè)計(jì)的
分類：工業(yè)電子 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1493 關(guān)鍵詞：NS P場(chǎng)效應(yīng)晶體管降壓控制器SOT23-5LM3475
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2007-04-19 閱讀：2301 關(guān)鍵詞：場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
識(shí)別技巧：常用場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的識(shí)別
1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。2、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2006-06-20 閱讀：1607 關(guān)鍵詞：識(shí)別技巧：常用場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的識(shí)別TL084CN
