第 4 代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用

Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能領(lǐng)先地位，并擴(kuò)大了其突破性...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-21 閱讀：768 關(guān)鍵詞：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管