結(jié)型場效應晶體管教程
出處：維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于：2023-02-02 16:22:46
場效應晶體管 (FET) 由稱為襯底的 N 型材料棒制成，其中擴散了 P 型結(jié)（柵極）。對于漏極上的正電壓，相對于源極，電子電流通過 CHANNEL 從源極流向漏極。
如果柵極相對于源極為負，則會產(chǎn)生靜電場，擠壓溝道并降低電流。如果柵極電壓足夠高，通道將被“夾斷”，電流將為零。與電流控制的晶體管不同，F(xiàn)ET 是電壓控制的。
該器件有時稱為結(jié)型 FET 或 JUGFET 或 JFET。如果 FET 意外正向偏置，柵極電流將流過，F(xiàn)ET 將被損壞。
為避免這種情況，在柵極和溝道之間放置了一層極薄的氧化硅絕緣層。該器件被稱為絕緣柵 FET，或 IGFET 或金屬氧化物半導體 FET (MOSTFET)
關(guān)鍵詞：結(jié)型場效應晶體
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