溝道類型

　　挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當(dāng)一個場效應(yīng)晶體管接地，而負(fù)載接入到干線電壓上時，該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管，它是出自于對關(guān)閉或?qū)?a href="http://www.udpf.com.cn" target="_blank">電子元件所要電壓的考慮。當(dāng)場效應(yīng)晶體管接入到總線及負(fù)載接地時，就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓?fù)渲羞x用P溝道場效應(yīng)晶體管，這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

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　　額定電壓

　　明確需用的額定電壓，或是電子元件能夠承載的電壓。額定電壓越大，電子元件的成本就越高。按照實踐證明，額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護(hù)，使場效應(yīng)晶體管不會失靈。

　　就挑選場效應(yīng)晶體管來講，務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的電壓，即VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵。我們須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍，保障電路不會無效。

　　需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品（如電機(jī)或變壓器）引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同，一般來說，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。

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　　額定電流

　　該額定電流應(yīng)是負(fù)載在全部狀態(tài)下可以承載的電流。與電壓的情形類似，保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流，即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。兩個考慮的電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導(dǎo)通模式下，場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài)，這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌（或尖峰電流）流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的電流，只需直接挑選能承載這個電流的電子元件便可。

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　　導(dǎo)通損耗

　　在實際情況下，場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導(dǎo)電過程中會有電能消耗，這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認(rèn)，并隨溫度而明顯變動。

　　電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因為導(dǎo)通電阻隨溫度變動，因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越??；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS（ON）電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。

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　　系統(tǒng)散熱

　　須考慮二種不一樣的情況，即壞情況和具體情況。提議選用針對壞情況的計算結(jié)果，由于這一結(jié)論提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù)，電子元件的結(jié)溫相當(dāng)于環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）。

　　依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的功率損耗，即按定義相當(dāng)于I2×RDS（ON）。我們已即將通過電子元件的電流，能夠估算出不同溫度下的RDS（ON）。此外，也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。

　　雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出值，并產(chǎn)生強電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力，提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。

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　　開關(guān)性能

　　影響開關(guān)性能的叁數(shù)有好多，但關(guān)鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每開關(guān)時都要對它們充電。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度因而被減少，電子元件效率也降低。為計算開關(guān)過程中電子元件的總耗損，要計算開通過程中的耗損（Eon）和關(guān)閉過程中的耗損（Eoff）。場效應(yīng)晶體管開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=（Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關(guān)性能的影響。

　　晶體三極管選用技巧

　　必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料，它們之前的差異就是其實電壓不一樣。

　　在放大電路中，假如使用同類型的鍺管代替同類型的硅管，反之替換，一般都是可以的，但都要在基極偏置電壓上進(jìn)行必要的調(diào)整。因為他們的起始電壓不一樣，但是在脈沖電路和開關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進(jìn)行具體的分析，切不可盲目代換。

　　選取場效應(yīng)管只要三步：

　　選擇合適的溝道（N溝道還是P溝道）

　　確定場效應(yīng)管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導(dǎo)通損耗。

　　確定熱要求，設(shè)計人員在設(shè)計時必須考慮到壞和真實兩種情況。一般建議采用針對壞的結(jié)果計算，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量，能夠確保系統(tǒng)不會失效。