晶圓術(shù)語(yǔ)

1.器件或叫芯片（Chip,die,device,microchip,bar）：這個(gè)名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片掩膜。2.街區(qū)或鋸切線(xiàn)（Scribelines,sawlines,streets,avenues）：在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片

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晶圓生產(chǎn)的基礎(chǔ)工藝

集成電路芯片有成千上百的種類(lèi)和功用。然而，它們都是由為數(shù)不多的基本結(jié)構(gòu)（主要為雙極結(jié)構(gòu)和金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，見(jiàn)第十六章）和生產(chǎn)工藝制造出來(lái)的。類(lèi)似于汽車(chē)工業(yè)，這個(gè)工業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品范圍很廣，從轎車(chē)到推土...

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晶圓制備介紹

高密度和大尺寸芯片的發(fā)展需要大直徑的晶圓。在上世紀(jì)60年代開(kāi)始使用的是1²直徑的晶圓，而現(xiàn)在業(yè)界根據(jù)90年代的工藝要求生產(chǎn)200毫米直徑的晶圓。300毫米直徑的晶圓也已經(jīng)投入生產(chǎn)線(xiàn)了，而根據(jù)SIA的技術(shù)路線(xiàn)...

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晶圓制備階段

**礦石到高純氣體的轉(zhuǎn)變**氣體到多晶的轉(zhuǎn)變**多晶到單晶，摻雜晶棒的轉(zhuǎn)變**晶棒到晶圓的制備半導(dǎo)體制造的第一個(gè)階段是從泥土里選取和提純半導(dǎo)體材料的原料。提純從化學(xué)反應(yīng)開(kāi)始。對(duì)于硅，化學(xué)反應(yīng)是從礦石到硅化物氣...

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晶體和晶圓質(zhì)量

半導(dǎo)體器件需要高度的晶體完美。但是即使使用了最成熟的技術(shù)，完美的晶體還是得不到的。不完美，叫做晶體缺陷，會(huì)產(chǎn)生不平均的二氧化硅膜生長(zhǎng)、差的外延膜的淀積、晶圓里不均勻的摻雜層及其它問(wèn)題而導(dǎo)致工藝問(wèn)題。在...

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晶圓刻號(hào)

大面積的晶圓代在晶圓制造工藝中有高價(jià)值，區(qū)別它們是防止誤操作所必需的，并且可以保持精確的可追溯性。使用條形碼和數(shù)字矩陣碼（圖3.19）的激光刻號(hào)被采用了。3對(duì)300毫米的晶圓，激光點(diǎn)是一致認(rèn)同的方法。來(lái)源:零...

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晶圓制造實(shí)例

集成電路的生產(chǎn)從拋光硅片的下料開(kāi)始。圖4.16的截面圖按順序展示了構(gòu)成一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS柵極硅晶體管結(jié)構(gòu)所需要的基礎(chǔ)工藝。每一步工藝生產(chǎn)的說(shuō)明如下：第一步：增層工藝。對(duì)晶圓表面的氧化會(huì)形成一層保護(hù)薄膜，它可作...

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晶圓測(cè)試

在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（diesort）或晶圓電測(cè)（wafersort）。在測(cè)試時(shí)，晶...

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晶圓烘干技術(shù)

**旋轉(zhuǎn)淋洗烘干機(jī)**異丙醇（IPA）蒸汽烘干法**表面張力/麥蘭烘干法。完全的烘干是在一個(gè)類(lèi)似離心分離機(jī)的設(shè)備中完成的。一種方式是將晶片承載器裝入一圓筒狀容器內(nèi)部的片匣固充器中。在這一圓筒狀容器的中心是一排連...

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累積晶圓生產(chǎn)良品率

在晶圓完成所有的生產(chǎn)工藝后，第一個(gè)主要良品率被計(jì)算出來(lái)了。對(duì)此良品率有多種不同的叫法，如Fab良率(FabYield)、生產(chǎn)線(xiàn)良率、累積晶圓廠(chǎng)良率或CUM良率。晶圓廠(chǎng)CUM良率用一個(gè)百分比來(lái)表示，可通過(guò)兩種不同的計(jì)算方...

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晶圓生產(chǎn)良率的制約因素

晶圓生產(chǎn)良率受到多方面的制約.下面列出了5個(gè)制約良率的基本因素,任何晶圓生產(chǎn)廠(chǎng)都會(huì)對(duì)他們進(jìn)行嚴(yán)格的控制.這5個(gè)基本因素的共同作用決定了一個(gè)工廠(chǎng)的綜合良率.1.工藝制程步驟的數(shù)量2.晶圓破碎和彎曲3.工藝制程變異4....

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晶圓生產(chǎn)良率的制約因素-工藝制程步驟的數(shù)量

從圖6.2中看出,要得到85.9%的CUM晶圓生產(chǎn)良率,每個(gè)單一制程站良率必須高于90%.圖所示只是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的11步工藝流程.ULSI電路需要50~100個(gè)主要工藝操作.到2010年,生產(chǎn)晶圓的主要工藝操作將達(dá)到600個(gè).每個(gè)主要工藝操...

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晶圓針測(cè)制程

經(jīng)過(guò)WaferFab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格，我們稱(chēng)之為晶方或是晶粒/芯片（Die/chip），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過(guò)晶片...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1817 關(guān)鍵詞：晶圓針測(cè)制程

半導(dǎo)體晶圓制造中產(chǎn)量與生產(chǎn)周期優(yōu)化法

摘要:在晶圓制造廠(chǎng)中，有時(shí)為了提高設(shè)備利用率而盲目地增加投料/產(chǎn)出速率，造成生產(chǎn)周期時(shí)間增長(zhǎng)，在制品增多。本文建立效用函數(shù)和多目標(biāo)決策對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化選擇，并且闡述了在晶圓制造廠(chǎng)實(shí)際生產(chǎn)中，經(jīng)濟(jì)原則對(duì)周期時(shí)...

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半導(dǎo)體晶圓制造中操作工數(shù)量的配置

潘峰，錢(qián)省三 （上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所 微電子發(fā)展研究中心，上海 200093） 摘要：對(duì)半導(dǎo)體制造中員工人數(shù)的配置問(wèn)題進(jìn)行了研究，提出了操作工人數(shù)的長(zhǎng)期決策和短期決策兩種情況，并用仿真模擬的方法對(duì)操作...

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SPC在半導(dǎo)體晶圓制造廠(chǎng)的應(yīng)用（下）

摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過(guò)程狀態(tài)作有效的監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)的半導(dǎo)體過(guò)程控制技術(shù)來(lái)嚴(yán)格監(jiān)控工藝過(guò)程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文著重論述了...

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半導(dǎo)體晶圓制造中的設(shè)備效率和設(shè)備能力

摘要：在半導(dǎo)體制造車(chē)間中，設(shè)備是非常昂貴的，設(shè)備折舊與維修占生產(chǎn)成本組成的比重，設(shè)備利用率的提高顯得尤為重要，因此設(shè)備效率和設(shè)備能力已成為半導(dǎo)體制造者最關(guān)心的問(wèn)題之一。本文針對(duì)該問(wèn)題，系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)...

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SPC在半導(dǎo)體晶圓制造廠(chǎng)的應(yīng)用（上）

摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過(guò)程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)的半導(dǎo)體過(guò)程控制技術(shù)來(lái)嚴(yán)格監(jiān)控工藝過(guò)程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)...

分類(lèi)：PCB技術(shù) 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：356 關(guān)鍵詞：SPC在半導(dǎo)體晶圓制造廠(chǎng)的應(yīng)用（上）CONTROL ADVANCEDEQUIPMENT

滿(mǎn)足晶圓級(jí)封裝微型化的曝光設(shè)備

在過(guò)去的幾年中人們已經(jīng)有幾次預(yù)言由于受到物理限制單個(gè)晶片的尺寸不可能再縮小，但實(shí)際上芯片的尺寸還一直在縮小中。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)預(yù)言在未來(lái)的10年中DRAM的密度將達(dá)到每芯片10TM(G級(jí)集成)。為了提高器...

分類(lèi)：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：245 關(guān)鍵詞：滿(mǎn)足晶圓級(jí)封裝微型化的曝光設(shè)備2005

提供電介質(zhì)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的晶圓

前端非接觸電介質(zhì)電學(xué)測(cè)試儀是工藝工程師的基本工具之一，它能夠每天顯示我們關(guān)心的電學(xué)測(cè)試參數(shù)，并且當(dāng)某一參數(shù)超過(guò)限制時(shí)提供警報(bào)，顯示可能的工藝偏移。在生產(chǎn)中，測(cè)試人員對(duì)關(guān)鍵工藝提供統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制（SPC），f...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1379 關(guān)鍵詞：提供電介質(zhì)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的晶圓