Spansion硅谷研發(fā)中心轉(zhuǎn)向300mm閃存晶圓開發(fā)
Spansion宣布其亞微米開發(fā)中心（SDC）已經(jīng)成功地完成了從200mm向300mm的轉(zhuǎn)變。該中心是Spansion的研發(fā)總部，同時(shí)也是為Spansion所有閃存產(chǎn)品線開發(fā)先進(jìn)制程的核心部門。由此，Spansion成為唯一正在開發(fā)300mm閃存晶
分類：其它 時(shí)間：2007-11-29 閱讀：1266 關(guān)鍵詞：Spansion硅谷研發(fā)中心轉(zhuǎn)向300mm閃存晶圓開發(fā)
面向新Cadence Virtuoso平臺(tái)的UMC晶圓廠設(shè)計(jì)工具包加快65納米設(shè)計(jì)生產(chǎn)力
Cadence與UMC推出面向最新的CadenceVirtuoso定制設(shè)計(jì)平臺(tái)（IC6.1）版本的UMC65納米SP（標(biāo)準(zhǔn)性能）、RF晶圓廠設(shè)計(jì)工具包（FDK）。CadenceVirtuoso技術(shù)有助于加速模擬、混合信號(hào)和RF器件的精確芯片設(shè)計(jì)。“
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2007-11-28 閱讀：1866 關(guān)鍵詞：面向新Cadence Virtuoso平臺(tái)的UMC晶圓廠設(shè)計(jì)工具包加快65納米設(shè)計(jì)生產(chǎn)力
康耐視公司(Cognex)日前推出了高性能晶圓讀碼器產(chǎn)品家族的新品——In-Sight1720。該產(chǎn)品與In-Sight1720和1721在自動(dòng)化晶圓識(shí)別方面為半導(dǎo)體制造和設(shè)備提供不同的價(jià)值。推出了1720之后，康耐視具備范圍極其寬廣的照明...
分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2007-11-26 閱讀：1618 關(guān)鍵詞：康耐視擴(kuò)大其高性能晶圓讀碼器產(chǎn)品線
Raytex推出新型晶圓邊緣檢測(cè)裝置 支持液浸曝光強(qiáng)化功能
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，Raytex開發(fā)出了能夠檢測(cè)液浸曝光用積層光刻膠是否均勻無缺陷地涂布至硅晶圓邊緣部分的裝置“RXW-1200G4”，預(yù)定于2008年2月上市。該裝置設(shè)想應(yīng)用于在晶圓邊緣檢測(cè)后還需利用掃描電子顯微鏡（SEM）進(jìn)...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2007-11-26 閱讀：1461 關(guān)鍵詞：Raytex推出新型晶圓邊緣檢測(cè)裝置 支持液浸曝光強(qiáng)化功能
DISCO上市新型激光加工設(shè)備 1臺(tái)即可切割貼附有l(wèi)ow-k膜的晶圓
日本DISCO開發(fā)出了新型激光加工設(shè)備“DFL7260”，該設(shè)備配備兩個(gè)激光振蕩器，只需1臺(tái)即可切割使用了low-k膜的晶圓。預(yù)定于2008年4月上市。向樣品照射激光使其部分氣化的燒蝕（abrasion）加工技術(shù)能夠進(jìn)行l(wèi)ow-k膜的溝...
分類：其它 時(shí)間：2007-11-23 閱讀：1939 關(guān)鍵詞：DISCO上市新型激光加工設(shè)備 1臺(tái)即可切割貼附有l(wèi)ow-k膜的晶圓
英飛凌首推晶圓級(jí)封裝BAW濾波器，降低3G手機(jī)成本..
英飛凌科技(InfineonTechnologies)日前推出了適用于UMTS/W-CDMA手機(jī)的雙工濾波器NWX2015CR和NWX2015CT，據(jù)稱是全球首款采用WLP(晶圓級(jí)封裝)工藝生產(chǎn)的BAW(體聲波)濾波器，它們可降低3G手機(jī)的生產(chǎn)成本
分類：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2007-11-22 閱讀：1567 關(guān)鍵詞：英飛凌首推晶圓級(jí)封裝BAW濾波器，降低3G手機(jī)成本..
FormFactor發(fā)表DRAM晶圓探針卡PH150XP
FormFactor發(fā)表PH150XP晶圓探針卡，擴(kuò)展其PH150系列DRAM晶圓測(cè)試產(chǎn)品的陣容。PH150XP探針卡提供多項(xiàng)良率與處理量提升的功能，讓DRAM制造商能進(jìn)一步降低整體測(cè)試成本。PH150XP探針卡樣本已開始供應(yīng)予各大內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)制造...
分類：其它 時(shí)間：2007-11-16 閱讀：1815 關(guān)鍵詞：FormFactor發(fā)表DRAM晶圓探針卡PH150XP
FormFactor發(fā)布Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒探針卡
FormFactor發(fā)表Harmony全區(qū)12寸晶圓針測(cè)解決方案的最新成員——Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒(Wafer-LevelBurn-In，WLBI)探針卡。HarmonyWLBI探針卡能提高作業(yè)流量，并且確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度。Harmo
分類：其它 時(shí)間：2007-11-14 閱讀：2122 關(guān)鍵詞：FormFactor發(fā)布Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒探針卡
初創(chuàng)企業(yè)尋求更新半導(dǎo)體技術(shù)與工藝的努力從未中斷。當(dāng)然，傳統(tǒng)器件的缺點(diǎn)眾所周知，ASIC 的開發(fā)昂貴，費(fèi)時(shí)，并且風(fēng)險(xiǎn)大;ASSP接近大眾，但是很難做到器件的差異化;FPGA大量...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2007-11-12 閱讀：3500 關(guān)鍵詞：XMOS重新定義晶圓
■晶圓檢測(cè) 目的：檢測(cè)晶圓盒中的晶圓 應(yīng)用：激光發(fā)射器發(fā)出細(xì)小光束，帶0.02水平矩形光縫的接收器能保證光束完全被晶圓擋住。晶圓盒被安裝在一個(gè)垂直運(yùn)動(dòng)的升降器上，當(dāng)升降器上下運(yùn)動(dòng)時(shí)檢測(cè)?！ 鞲衅鳎篗1...
分類：傳感技術(shù) 時(shí)間：2007-09-27 閱讀：5537 關(guān)鍵詞：BANNER傳感器應(yīng)用舉例—晶圓檢測(cè)D12SN6FPQ23SN6RSME312DVVS1AN5C10PIF66UMVFAPIT46UHT1
納米技術(shù)時(shí)代晶圓的設(shè)計(jì)與加工
摘要 納米技術(shù)開始從襯底階段啟動(dòng)。襯底選擇將使襯底設(shè)計(jì)與器件結(jié)構(gòu)之間的界線不復(fù)存在。 90nm及未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)的器件開發(fā)具有兩個(gè)十分顯著的技術(shù)設(shè)計(jì)特點(diǎn)。一個(gè)是注重高性能器件，另一個(gè)是靠系統(tǒng)芯片（SoC）...
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：2165 關(guān)鍵詞：納米技術(shù)時(shí)代晶圓的設(shè)計(jì)與加工40-50
半導(dǎo)體制程--------------------------------------------------------------------------------微機(jī)電制作技術(shù)，尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon-b
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1914 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體制程(潔凈室及晶圓制造)
理解及較為準(zhǔn)確預(yù)測(cè)晶圓電測(cè)良品率的能力是對(duì)一個(gè)贏利且可靠的芯片供應(yīng)商的基本要求。多年來，許多把工藝制程、缺陷密度和芯片尺寸參數(shù)與晶圓電測(cè)良品率聯(lián)系起來的模型被開發(fā)出來。圖6.12給出了四種良品率模型的公式...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：2320 關(guān)鍵詞：晶圓電測(cè)良品率公式
當(dāng)模擬芯片設(shè)計(jì)師在其器件中采用絕 緣體上硅（SOI）襯底時(shí)，常常是為了擴(kuò)充這些器件的高速性能。當(dāng)您在位于（通常是）硅氧化物的某一深層之上的硅層中，而不是直接在晶圓的塊硅上制造硅電路時(shí)，就可以減少或去除許...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：148 關(guān)鍵詞：SOI晶圓擁有了較高精度的運(yùn)算放大器2.7VLMP7711VIP50
在包裝以前，需要根據(jù)用戶指定的一些參數(shù)對(duì)晶圓（或樣品）進(jìn)行檢查。圖3.24列舉了一個(gè)典型的規(guī)格要求。主要的考慮是表面問題如顆粒，污染和霧。這些問題能夠用強(qiáng)光或自動(dòng)檢查設(shè)備來檢測(cè)出。來源:零八我的愛
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1181 關(guān)鍵詞：晶圓評(píng)估
晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化。氧化層用以保護(hù)晶圓表面，防止在運(yùn)輸過程中的劃傷和污染。許多公司從氧化開始晶圓制造工藝，購買有氧化層的晶圓就節(jié)省了一個(gè)生產(chǎn)步驟。氧化工藝在第7章解釋。來源:零八我的愛
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1193 關(guān)鍵詞：晶圓在發(fā)貨到客戶之前的氧化
關(guān)鍵術(shù)語和概念晶體籽晶晶胞熔融物多晶晶體生長單晶直拉法晶體定向區(qū)熔法<100>晶面液體掩蓋直拉法<111>晶面晶圓參考面點(diǎn)缺陷晶圓參考面代碼晶體位錯(cuò)化學(xué)機(jī)械拋光原生缺陷背損傷邊緣倒角切片滑移空位來源...
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1161 關(guān)鍵詞：晶圓制備關(guān)鍵術(shù)語和概念
復(fù)習(xí)問題1.在多晶結(jié)構(gòu)里原子不是有序排列的（對(duì)/錯(cuò)）。1.在單晶結(jié)構(gòu)里晶胞不是有序排列的（對(duì)/錯(cuò)）。2.畫一個(gè)晶胞立方并指出<100>晶面。3.<111>晶向的晶圓是用來做------（雙極型，MOS）器件。4.如果籽...
分類：其它 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：1633 關(guān)鍵詞：晶圓制備復(fù)習(xí)問題
