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碳化硅

深入探究碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的卓越應(yīng)用

在當(dāng)今的電子應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅器件已經(jīng)在多個(gè)方面取得了商業(yè)上的成功。碳化硅 MOSFET 已被證實(shí)是硅 IGBT 在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的可行商業(yè)替...

分類:工業(yè)電子 時(shí)間:2025-09-01 閱讀:749 關(guān)鍵詞:電機(jī)

碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用新格局

碳化硅 MOSFET 更是被證實(shí)為硅 IGBT 在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。在這些應(yīng)用中,效率的提升以及濾波器尺寸的減小,足以抵消半導(dǎo)體材料成本的增加。而隨著全球能源成本的上...

分類:工業(yè)電子 時(shí)間:2025-08-29 閱讀:620 關(guān)鍵詞:碳化硅

使用碳化硅肖特基二極管智能處理 PFC 中的浪涌電流

隨著PFC拓?fù)渲胁捎肧iC 肖特基二極管,旁路二極管被用來(lái)限制通過(guò) SiC 二極管的正向電流,以防浪涌電流影響電源干線。圖 1 說(shuō)明了旁路二極管通常如何在經(jīng)典 PFC 中實(shí)現(xiàn)。僅當(dāng)...

分類:電子測(cè)量 時(shí)間:2025-01-16 閱讀:1062 關(guān)鍵詞:碳化硅肖特基二極管

碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

為什么 SiC 功率芯片更?。俊 」β市酒拇笮≈苯佑蓡挝幻娣e的導(dǎo)通電阻決定,而導(dǎo)通電阻主要由作為功能層的外延層的電阻主導(dǎo)。為了最小化器件的導(dǎo)通電阻,必須增加外延層...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2024-10-22 閱讀:520 關(guān)鍵詞:碳化硅肖特基二極管

利用碳化硅重新思考軟開(kāi)關(guān)效率

從理論上講,碳化硅 (SiC) 技術(shù)比硅 (Si) 具有優(yōu)勢(shì),這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有 MOSFET 的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關(guān)注該技術(shù)與硅的不同之...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2024-06-19 閱讀:612 關(guān)鍵詞:碳化硅

掌握這些要點(diǎn),秒變碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器選型專家

本文將闡述系統(tǒng)能效的重要性,并簡(jiǎn)要說(shuō)明 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn),包括 SiC 功耗、SiC 導(dǎo)通和關(guān)斷基本原理以及如何減少開(kāi)關(guān)損耗。此外,我們將介紹首款集成負(fù)偏壓的 3.75 kV 柵極驅(qū)動(dòng)器 NCP(V)51752?! ∧苄?..

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2024-05-29 閱讀:330 關(guān)鍵詞:碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器

碳化硅如何改進(jìn)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅 (SiC)等寬帶隙 (WBG) 技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V SiC MOSFET 的推出使其對(duì)于以前未考慮過(guò)的應(yīng)用更具吸引力。  它們?cè)诟咝в?..

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2024-03-20 閱讀:669 關(guān)鍵詞:開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

什么是碳化硅?

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一種廣泛應(yīng)用于高溫、高壓、高頻電子器件和材料領(lǐng)域的化合物材料。它由硅和碳元素組成,具有許多優(yōu)異的特性,包括:  高熔點(diǎn)和高熱穩(wěn)定性: 碳化硅具有非常高的熔點(diǎn),能夠在極高...

分類:其它 時(shí)間:2024-02-27 閱讀:514 關(guān)鍵詞:碳化硅

Microchip - 碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車電路保護(hù)解決方案

早在十多年前,電動(dòng)汽車就已經(jīng)引入400V電池系統(tǒng),現(xiàn)在我們看到行業(yè)正在向800V系統(tǒng)遷移,主要是為了支持直流快速充電。隨著電壓的提高和從400V系統(tǒng)中學(xué)到的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),設(shè)計(jì)人...

分類:汽車電子/智能駕駛 時(shí)間:2024-01-04 閱讀:1161 關(guān)鍵詞:碳化硅電子

第 4 代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用

Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET,擴(kuò)大了公司的性能領(lǐng)先地位,并擴(kuò)大了其突破性...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-21 閱讀:780 關(guān)鍵詞:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管

新型 MPLAB 碳化硅功率仿真器使客戶能夠在設(shè)計(jì)階段測(cè)試 Microchip 的碳化硅功率解決方案

電力電子產(chǎn)品在日常生活的許多領(lǐng)域都在市場(chǎng)上迅速擴(kuò)張。由于這種材料在速度、效率和耐高溫性方面的出色性能,越來(lái)越多的電力電子設(shè)備使用SiC 半導(dǎo)體制造。電源設(shè)計(jì)人員大量...

分類:電子測(cè)量 時(shí)間:2023-04-07 閱讀:3972 關(guān)鍵詞: MPLAB 碳化硅

先進(jìn)碳化硅技術(shù),有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)

人們普遍認(rèn)識(shí)到,碳化硅(SiC)現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅...

時(shí)間:2022-10-26 閱讀:723 關(guān)鍵詞:碳化硅技術(shù)

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到2 kW,到高端電動(dòng)汽車中的22 kW不等。傳統(tǒng)上,充電功率是單向的,...

分類:汽車電子/智能駕駛 時(shí)間:2022-09-20 閱讀:490 關(guān)鍵詞:電子

碳化硅如何實(shí)現(xiàn)助力電動(dòng)汽車應(yīng)用

本文將重點(diǎn)介紹碳化硅技術(shù)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)的硅基器件相比,碳化硅 (SiC)組件具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)(例如高效率和低損耗),使其成為多種電源解決方案的正確解決方...

分類:汽車電子/智能駕駛 時(shí)間:2022-08-11 閱讀:560 關(guān)鍵詞:電子

開(kāi)發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁:方案概述

在本系列文章的第一部分中,[1]我們介紹了電動(dòng)車快速充電器的主要系統(tǒng)要求,概述了這種充電器開(kāi)發(fā)過(guò)程的關(guān)鍵級(jí),并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)正在開(kāi)發(fā)所述的充...

分類:動(dòng)力電池/充電樁 時(shí)間:2022-06-02 閱讀:1452 關(guān)鍵詞:充電樁

Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC™ 優(yōu)化襯底,拓展碳化硅產(chǎn)品組合

設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的quan球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC 晶圓。這標(biāo)志著 Soitec 公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC 晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高,可滿足汽車市...

分類:其它 時(shí)間:2022-05-07 閱讀:636 關(guān)鍵詞:碳化硅

從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

近年來(lái),因?yàn)樾履茉雌?、光伏及?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2022-02-23 閱讀:599 關(guān)鍵詞:從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比MOSFET

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器,可將開(kāi)關(guān)損耗降低50%,同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間,現(xiàn)已投入生產(chǎn)

隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標(biāo),基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產(chǎn)品組合,Microchi...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2021-09-24 閱讀:860 關(guān)鍵詞:Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器,可將開(kāi)關(guān)損耗降低50%,同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間,現(xiàn)已投入生產(chǎn)MOSFET

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率

致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布對(duì)其碳化硅(SiC)二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行擴(kuò)充,新增1700 V級(jí)產(chǎn)品 (觀看視頻)。 LSIC2SD170Bxx 系列碳化...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2021-08-26 閱讀:596 關(guān)鍵詞:新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率二極管

Littelfuse 1700V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率

致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)今天宣布對(duì)其碳化硅(SiC)二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行擴(kuò)充,新增1700 V級(jí)產(chǎn)品?! SIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2021-08-11 閱讀:610 關(guān)鍵詞:Littelfuse 1700V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率二極管

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