深入剖析 GaN HEMT 器件：結(jié)構(gòu)、工作模式與應(yīng)用前景
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，GaN HEMT 器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，在電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。繼上一篇屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)簡介后，我們這次將深入介紹 GaN HEMT 器件的結(jié)構(gòu)、工作模式、應(yīng)用領(lǐng)域以及面臨的...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-09-03 閱讀：281 關(guān)鍵詞：GaN HEMT 器件
U8726AHE 氮化鎵電源 IC 集成高壓 E - GaN 和啟動(dòng)電路優(yōu)勢
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片尺寸持續(xù)縮小。在這一過程中，一個(gè)關(guān)鍵問題逐漸凸顯：電場強(qiáng)度會(huì)隨芯片尺寸的減小而線性增加。若電源電壓保持恒定，產(chǎn)生的電場強(qiáng)度極有可能...
時(shí)間：2025-08-20 閱讀：301 關(guān)鍵詞：氮化鎵電源 IC
基于 TI GaN FET 的 10kW 單相串式逆變器設(shè)計(jì)方案
隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性和能源安全的關(guān)注度不斷提升，儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求在住宅太陽能裝置等領(lǐng)域呈現(xiàn)出加速增長的態(tài)勢。在當(dāng)前市場上，存在功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-07-16 閱讀：228 關(guān)鍵詞：逆變器
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本?！ ?yīng)用背景 ...
時(shí)間：2025-06-04 閱讀：713 關(guān)鍵詞：納芯微
雙向 GaN 開關(guān)：單級 BDS 轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換
例如，典型的交流/直流電動(dòng)汽車車載充電器（OBC）實(shí)施了一個(gè)初始的功率因數(shù)校正（PFC）階段和一個(gè)后續(xù)的 DC/DC 階段，該階段由笨重的“DC-link”電容器緩沖。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
基于GAN的高頻LLC共振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
憑借具有更高功率，較小尺寸和較高效率的清晰趨勢，高頻LLC諧振轉(zhuǎn)換器是行業(yè)中孤立的DC/DC拓?fù)涞挠形Φ慕鉀Q方案，例如筆記本電腦適配器（> 75W），1KW-3KW數(shù)據(jù)中心...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2025-04-02 閱讀：1011 關(guān)鍵詞：LLC共振轉(zhuǎn)換器
足夠的故障檢測響應(yīng)時(shí)間約為 2 μs [2]，該時(shí)間決定了電源開關(guān)所需的短路耐壓時(shí)間 （SCWT） 額定值（即，在源極和漏極之間施加高電壓和高電流的情況下，器件可以承受短路事...
使用GAN的汽車降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器可高效48 V發(fā)電
在設(shè)計(jì)汽車轉(zhuǎn)換器時(shí)，尺寸，成本和可靠性是關(guān)鍵因素。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，最簡單的雙向拓?fù)?；選擇同步的降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器。最大化能源效率也是至關(guān)重要的，在這里，設(shè)計(jì)...
分類：汽車電子/智能駕駛 時(shí)間：2025-03-26 閱讀：640 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器
Nexperia推出了四個(gè)40V雙向GAN功率晶體管。
使用5V門驅(qū)動(dòng)器，可用的最大電阻值為1.2、4.8、8或12MΩ，請參見下表 - 操作最高為125°C。包裝是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12?！ ≡摴痉Q，他們“支持移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦中的過電壓保護(hù)，負(fù)載開關(guān)和電池...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-03-19 閱讀：376 關(guān)鍵詞：GAN功率晶體管
電動(dòng)車設(shè)計(jì)師的目的是使電動(dòng)汽車更輕，更自動(dòng)，并且通過提供更多功率，降低系統(tǒng)尺寸并最大程度地減少散熱的場所，并使用較小的電池。 通過在電力轉(zhuǎn)換，高頻切換和熱管理...
分類：汽車電子/智能駕駛 時(shí)間：2025-02-28 閱讀：387 關(guān)鍵詞：GAN ADVANTS EV電源
由于GAN的高開關(guān)速度，寄生電感 與老化功率MOSFET相比，在較高的頻率下使用GAN的能力使寄生電感在功率轉(zhuǎn)化電路中的降解作用焦點(diǎn)[1]。這種電感阻礙了GAN額外的開關(guān)功能的...
步驟 1 – 柵極驅(qū)動(dòng)器選擇 驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 (E-HEMT) 的柵極與驅(qū)動(dòng)硅 (Si) MOSFET 的柵極有相似之處，但也有一些有益的區(qū)別。 驅(qū)動(dòng) GaN E-HEMT 并...
第一代 AI PSU：采用相同架構(gòu)，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相 目前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)。在該標(biāo)準(zhǔn)中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...
光伏優(yōu)化器使用 eGaN FET 和專用 ASIC 控制器
第一種配置是微型逆變器，它為安裝中的每個(gè)面板使用逆變器，確保每個(gè)面板都能發(fā)揮其全部能源潛力。第二個(gè)是串式逆變器，它將多個(gè)面板連接在一起并向中央逆變器供電。然而，...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-11-27 閱讀：516 關(guān)鍵詞： ASIC 控制器
使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換
傳統(tǒng)兩級與單級轉(zhuǎn)換 在傳統(tǒng)的兩級功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC轉(zhuǎn)換是分開處理的，需要多個(gè)組件并導(dǎo)致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的復(fù)雜性?！ ∮?..
時(shí)間：2024-11-27 閱讀：829 關(guān)鍵詞： GaN 開關(guān)
通過自動(dòng)動(dòng)態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
STS8200 用于動(dòng)態(tài)測試三個(gè) p-GaN HEMT 器件。這些標(biāo)有 A/B/C 的 650 V 額定器件來自不同制造商，典型室溫導(dǎo)通電阻 (RDSON) 額定值分別為 240 mΩ、130 mΩ 和 40 mΩ。如圖 1 所示的測試電路使用可調(diào)電阻負(fù)載來實(shí)現(xiàn)...
分類：電子測量 時(shí)間：2024-11-22 閱讀：303 關(guān)鍵詞：開關(guān)測試
結(jié)合 GaN IC 的橫向和垂直幾何形狀 結(jié)合兩全其美是垂直 GaN 功率 IC 開發(fā)背后的座右銘?！ M向 GaN 技術(shù)及其HEMT 設(shè)計(jì)徹底改變了電力電子領(lǐng)域，與傳統(tǒng)的硅基功率晶體...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-11-15 閱讀：367 關(guān)鍵詞：GaN
漏極過電壓應(yīng)力 在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，功率轉(zhuǎn)換器中可能會(huì)出現(xiàn)漏極過電壓。有多種因素會(huì)影響這些過沖的嚴(yán)重程度，包括正在切換的電流的轉(zhuǎn)換率 (dI/dt) 以及與封裝和外部連接...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-10-31 閱讀：377 關(guān)鍵詞：p-GaN HEMT功率器件
保護(hù) USB 端口、不同電源供電的設(shè)備的開關(guān)電路以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流傳導(dǎo)。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)在共源極配置中背對背連...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2024-10-21 閱讀：668 關(guān)鍵詞：BiGaN開關(guān)
增強(qiáng) E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性 共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2024-10-09 閱讀：610 關(guān)鍵詞： GaNFET
