納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。

　　應(yīng)用背景

      近年來(lái)，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(jī)(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用。

　　然而，GaN器件在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多挑戰(zhàn)。以增強(qiáng)型氮化鎵(E-mode GaN)器件為例，由于導(dǎo)通閾值較低，在高壓大功率場(chǎng)景，特別是硬開(kāi)關(guān)工作模式下，如果驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中極易因串?dāng)_而導(dǎo)致誤導(dǎo)通現(xiàn)象。與此同時(shí)，適配的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)也比較復(fù)雜，這無(wú)疑提高了GaN器件的應(yīng)用門檻。
　　為了加速GaN應(yīng)用普及，國(guó)內(nèi)外頭部GaN廠家近年來(lái)推出了一些集成驅(qū)動(dòng)IC的GaN功率芯片，特別是MOSFET-LIKE類型的GaN功率芯片，其封裝形式可與Si MOSFET兼容，在一定程度上降低了GaN驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度。但集成驅(qū)動(dòng)的GaN芯片仍存在很多局限性：一方面難以滿足一些客戶對(duì)于差異化產(chǎn)品設(shè)計(jì)的需求；另一方面，在多管并聯(lián)、雙向開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景中并不適用，所以在諸多應(yīng)用場(chǎng)景中仍需要分立GaN器件及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)此，納芯微針對(duì)E-mode GaN開(kāi)發(fā)專用驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，致力于為高壓大功率場(chǎng)景下的GaN應(yīng)用，提供高性能、高可靠性且具備成本競(jìng)爭(zhēng)力的驅(qū)動(dòng)解決方案。
　　產(chǎn)品特性
　　NSD2622N是一款專為E-mode GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片內(nèi)部集成了電壓調(diào)節(jié)電路，可以生成5V~6.5V可配置的穩(wěn)定正壓，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)GaN器件的可靠驅(qū)動(dòng)；內(nèi)部還集成了電荷泵電路，可以生成-2.5V的固定負(fù)壓用于GaN可靠關(guān)斷。該芯片由于將正負(fù)電源穩(wěn)壓電路集成到內(nèi)部，因此可以支持高邊輸出采用自舉供電方式。
　　NSD2622N采用納芯微成熟可靠的電容隔離技術(shù)，高邊驅(qū)動(dòng)可以支持-700V到+700V耐壓，可承受200V/ns的SW電壓變化速率，同時(shí)高低邊輸出具有低傳輸延時(shí)和較小的傳輸延時(shí)匹配特性，完全滿足GaN高頻、高速開(kāi)關(guān)的需求。此外，NSD2622N高低邊輸出均能提供2A/-4A峰值驅(qū)動(dòng)電流，足以應(yīng)對(duì)各類GaN應(yīng)用對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的要求，并且可用于GaN并聯(lián)使用場(chǎng)景。NSD2622N內(nèi)部還集成一顆5V固定輸出的LDO，可以為數(shù)字隔離器等電路供電，以用于需要隔離的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　NSD2622N詳細(xì)參數(shù)：
　　SW耐壓范圍：-700V~700V
　　SW dv/dt抑制能力大于200V/ns
　　支持5V~15V寬范圍供電
　　5V~6.5V可調(diào)輸出正壓
　　-2.5V內(nèi)置輸出負(fù)壓
　　2A/4A峰值驅(qū)動(dòng)電流
　　典型值10ns輸入脈寬
　　典型值38ns輸入輸出傳輸延時(shí)
　　典型值5ns脈寬畸變
　　典型值6.5ns上升時(shí)間（1nF 負(fù)載）
　　典型值6.5ns下降時(shí)間（1nF 負(fù)載）
　　典型值20ns內(nèi)置死區(qū)
　　高邊輸出支持自舉供電
　　內(nèi)置LDO固定5V輸出用于數(shù)字隔離器供電
　　具備欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)

　　工作環(huán)境溫度范圍：-40℃~125℃