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GaN

東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場效應(yīng)晶體管 工作頻率可達(dá)Ku波段

據(jù)EEPW網(wǎng)站報(bào)道,東芝公司(ToshibaCorporation)日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET),使該頻率范圍在14.5GHz上實(shí)現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率,這也是迄今為

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2007-11-13 閱讀:1528 關(guān)鍵詞:東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場效應(yīng)晶體管 工作頻率可達(dá)Ku波段

Toshiba 推出Ku波段GaN功率型場效應(yīng)管

東芝宣布已經(jīng)開發(fā)出一個新的GaN(Gallium nitride)功率型場效應(yīng)管(FET),用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍,當(dāng)輸出功率為65.4W時(shí)可達(dá)14.54GHz。這一新三極管的主要應(yīng)...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-10-30 閱讀:2229 關(guān)鍵詞:Toshiba 推出Ku波段GaN功率型場效應(yīng)管

ST和Velox聯(lián)合推出電源用GaN肖特基二極管

成本更低、尺寸更小的功率校正電路推動筆記本電腦、消費(fèi)電子及工業(yè)電源應(yīng)用意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)和Velox半導(dǎo)體公司宣布在市場上聯(lián)合推出GaN(氮化鎵)肖特基二極管的合作銷售協(xié)議。成為市場上公認(rèn)的GaN...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2007-09-26 閱讀:1395 關(guān)鍵詞:ST和Velox聯(lián)合推出電源用GaN肖特基二極管THOMASMOSFETSMPS

光電時(shí)代的精靈-GaN發(fā)光二極管

GaN材料具有發(fā)光效率高、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,被認(rèn)為是目前世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體材料。GaN的商業(yè)應(yīng)用研究開始于1970年,可廣泛替代傳統(tǒng)的白熾燈、日光燈等電光源,實(shí)現(xiàn)人類照明...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:1595 關(guān)鍵詞:光電時(shí)代的精靈-GaN發(fā)光二極管2002200120091970

第三代半導(dǎo)體材料GaN產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和投資機(jī)會

GaN藍(lán)光產(chǎn)業(yè)開發(fā)熱遍全球作為一種化合物半導(dǎo)體材料,GaN材料具有許多硅基半導(dǎo)體材料所不具備的優(yōu)異性能,包括能夠滿足大功率、高溫高頻和高速半導(dǎo)體器件的工作要求。其中GaN區(qū)別于第一和第二代半導(dǎo)體材料最重要的物...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:3996 關(guān)鍵詞:第三代半導(dǎo)體材料GaN產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和投資機(jī)會20022001200620091970550019921999

GaN材料的特性與應(yīng)用

GaN材料的特性與應(yīng)用2005-4-4 20:20:03 王平 1前言 GaN材料的研究與應(yīng)用是目前半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼代Ge、Si半導(dǎo)體...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:3117 關(guān)鍵詞:GaN材料的特性與應(yīng)用2003200510501000065001700101110141150

p型GaN歐姆接觸的研究進(jìn)展

潘群峰,劉寶林(廈門大學(xué)物理系,福建 廈門 361005)摘要:寬帶隙的GaN作為半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一,近年來發(fā)展得很快。p型GaN的歐姆接觸問題一直阻礙高溫大功率GaN基器件的研制。本文討論了金屬化方案的選擇、表...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:4061 關(guān)鍵詞:p型GaN歐姆接觸的研究進(jìn)展

GaN FET在6GHz頻率條件下可產(chǎn)生174W功率

對衛(wèi)星和蜂窩基站來說,一個由Toshiba公司提供的GaN(氮化鎵)功率場效應(yīng)管(FET)在輸出功率上超過了GaAs(砷化鎵)器件,功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的額定輸出功率大約為90W/6 GHz和30W/14 GHz,...

分類:物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間:2007-04-03 閱讀:1585 關(guān)鍵詞:GaN FET在6GHz頻率條件下可產(chǎn)生174W功率

AlGaN紫外光電導(dǎo)探測器的研究

摘要:在藍(lán)寶石(0001)襯底上采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)方法生長了未摻雜的Al0.15Ga0.85N外延層,并以此為材料制作了光電導(dǎo)探測器,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)探測器具有顯著的紫外光響應(yīng)。分析了探測器持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)(PPC)...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2005-07-11 閱讀:1561 關(guān)鍵詞:AlGaN紫外光電導(dǎo)探測器的研究

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