由于GAN的高開關(guān)速度，寄生電感 與老化功率MOSFET相比，在較高的頻率下使用GAN的能力使寄生電感在功率轉(zhuǎn)化電路中的降解作用焦點[1]。這種電感阻礙了GAN額外的開關(guān)功能的...
ST- 為什么選擇GaN晶體管？MASTERGAN1告訴你答案
ST發(fā)布了市場 也是 的單封裝集成600 V柵極驅(qū)動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的MASTERGAN1。同類競品只提供一顆GaN晶體管，而ST決定增加一顆GaN，實現(xiàn)半橋配置，并允...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-12-28 閱讀：513 關(guān)鍵詞：ST- 為什么選擇GaN晶體管？MASTERGAN1告訴你答案晶體管
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC等電源系統(tǒng)設(shè)計...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2016-06-28 閱讀：3117 關(guān)鍵詞：安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
