MOS 管由于其導(dǎo)通內(nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等顯著優(yōu)勢(shì)，在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。而要充分發(fā)揮 MOS 管的性能，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。下面將為大家詳細(xì)介紹幾種常用的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電路。

電源 IC 直接驅(qū)動(dòng)

電源 IC 直接驅(qū)動(dòng)是一種較為簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，但在應(yīng)用過(guò)程中需要特別注意幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)及其影響。首先，要查看電源 IC 手冊(cè)中的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒尿?qū)動(dòng)能力往往存在差異。其次，需要了解 MOS 管的寄生電容，如 C1、C2 的值。寄生電容越小越好，因?yàn)槿绻?C1、C2 的值較大，MOS 管導(dǎo)通所需的能量就會(huì)增多。若電源 IC 沒(méi)有足夠大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，管子導(dǎo)通的速度就會(huì)變慢，從而無(wú)法達(dá)到預(yù)期的效果。

推挽驅(qū)動(dòng)

當(dāng)電源 IC 的驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可以采用推挽驅(qū)動(dòng)。這種驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)勢(shì)在于能夠提升電流提供能力，快速完成對(duì)柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。雖然這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)會(huì)增加導(dǎo)通所需的時(shí)間，但可以減少關(guān)斷時(shí)間，使開(kāi)關(guān)管能夠快速開(kāi)通，并且避免上升沿出現(xiàn)高頻振蕩。

加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)

MOS 管通常遵循慢開(kāi)快關(guān)的原則。在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動(dòng)電路需要提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路，以便讓 MOSFET 柵源極間電容電壓能夠快速泄放，確保開(kāi)關(guān)管能夠迅速關(guān)斷。為了實(shí)現(xiàn)柵源極間電容電壓的快速泄放，常常會(huì)在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中 D1 一般采用快恢復(fù)二極管。這樣做不僅可以減小關(guān)斷時(shí)間，還能降低關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2 的作用是防止關(guān)斷時(shí)電流過(guò)大，避免燒毀電源 IC。

上圖是一個(gè)實(shí)際應(yīng)用過(guò)的電路，已經(jīng)量產(chǎn)至少上萬(wàn)臺(tái)，具有一定的可靠性和實(shí)用性，推薦使用。利用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的做法。如果 Q1 的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當(dāng) PNP 三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容會(huì)被短接，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)將電荷放完，最大程度地減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。此外，柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源 IC，還提高了電路的可靠性。

隔離驅(qū)動(dòng)

為了滿足高端 MOS 管的驅(qū)動(dòng)需求，常常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中，R1 的目的是抑制 PCB 板上寄生的電感與 C1 形成 LC 振蕩，C1 則用于隔開(kāi)直流、通過(guò)交流，同時(shí)還能防止磁芯飽和。