區(qū)分電極 在區(qū)分 IGBT 各電極時，萬用表選擇二極管測量擋，紅、黑表筆接任意兩個引腳，正、反各測一次，當(dāng)某次測量出現(xiàn)顯示值在0.400～0.800范圍的數(shù)值時，如圖7—20（b...
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的特點，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-24 閱讀：651 關(guān)鍵詞：IGBT器件
下面以FGA25N120型IGBT為例，介紹用指針式萬用表檢測IGBT的方法。FGA25N120內(nèi)帶阻尼管的IGBT，它有三個電極，分別稱為柵極G（也叫控制極或門極）、集電極C亦稱漏極）及發(fā)射...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點，可以在高電壓和高電流條件下工作，因而被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。 與MOSFE...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-01-23 閱讀：847 關(guān)鍵詞：IGBT
適用于最高電壓?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封裝
電力電子及其效率的重要性也隨之增加。為了最大限度地減少電力電子設(shè)備中的能量損失，我們需要更仔細(xì)地檢查所涉及組件的各個方面?！ τ谶@些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)洌?..
利用IGBT高速、低飽和電壓特性的應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)大。它包括工業(yè)應(yīng)用，例如太陽能系統(tǒng)逆變器和不間斷電源 (UPS)，以及消費類應(yīng)用，例如等離子顯示面板 (PDP) 中的照明控...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-10-13 閱讀：1220 關(guān)鍵詞：IGBT
IGBT / MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-10-10 閱讀：1011 關(guān)鍵詞：MOSFET
MOSFET/IGBT 驅(qū)動器理論與應(yīng)用
MOSFET 和 IGBT 技術(shù) 由于不存在少數(shù)載流子傳輸，MOSFET 可以以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)。對此的限制由兩個因素決定：電子穿過漂移區(qū)的傳輸時間以及對輸入柵極和米勒電容充電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-10-08 閱讀：697 關(guān)鍵詞：IGBT
所有高壓 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一樣嗎？
如果有足夠的時間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為一名工程師，您多久想要了解電路應(yīng)用中每個部件的行為方式？是的——檢查一下。半導(dǎo)體公司的模型通常是否真實代表了電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-09-05 閱讀：537 關(guān)鍵詞：MOSFET
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過典型...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：556 關(guān)鍵詞： IGBT
本應(yīng)用筆記介紹了在開關(guān)模式電源電路中運行的 IGBT 的數(shù)值算法，以確定其損耗。該設(shè)計示例使用經(jīng)過測試和分析的 600 W 零電流開關(guān)升壓 PFC（功率因數(shù)校正）電路，以準(zhǔn)確預(yù)測從工作電路獲得的損耗。預(yù)測損耗逐項列出...
第一部分 選型及注意事項 1、電壓規(guī)格??器件上所承受的最高電壓要小于器件的額定電壓2、電流規(guī)格??一般使用的ICmax≦IC(nom)*70%3、電路結(jié)構(gòu)??由電氣方案決定電路結(jié)構(gòu)，然后選擇合適的模塊以符合電路結(jié)構(gòu)4、封裝??需...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-31 閱讀：692 關(guān)鍵詞：IGBT
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-19 閱讀：281 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)
所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-15 閱讀：545 關(guān)鍵詞：IGBT
1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-08 閱讀：394 關(guān)鍵詞：IGBT
斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運行安全和...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-26 閱讀：471 關(guān)鍵詞：IGBT
IGBT等效電路如所示。由可知，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP...
Toshiba - 東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-03-25 閱讀：553 關(guān)鍵詞：IGBT
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-02-24 閱讀：508 關(guān)鍵詞：MOS管
