IGBT的分類及主要參數(shù)（PT-IGBT與NPT-IGBT區(qū)別）
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-04-29 閱讀：5212 關(guān)鍵詞：IGBT的分類及主要參數(shù)（PT-IGBT與NPT-IGBT區(qū)別）IGBT
太陽能光伏發(fā)電的實(shí)質(zhì)就是在太陽光的照射下，太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉(zhuǎn)換成電能，輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-04-29 閱讀：1337 關(guān)鍵詞：MOSFET逆變器和IGBT逆變器電路圖對比MOSFET逆變器
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
引言 反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān)，其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是，正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構(gòu)成一種...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-07-23 閱讀：701 關(guān)鍵詞：基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)二極管,GBT技術(shù)
一、三極管 三極管是一種電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號放大，輸入阻抗低，例如在基極b給一個很小的電流Ib，在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。它是電流放大器件，但是在實(shí)際時候通常通過一個電阻將...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-05-09 閱讀：899 關(guān)鍵詞：三極管、場效應(yīng)管、IGBT怎么用？三極管,場效應(yīng)管,IGBT
IGBT是個功率器件，它的開關(guān)頻率上限并不是一個確定的值。我一般都是這么回答這個問題的：首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IG...
時間：2020-05-06 閱讀：2559 關(guān)鍵詞：IGBT的開關(guān)頻率可以有多高？開關(guān)
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-03-31 閱讀：722 關(guān)鍵詞：MOS管和IGBT管的前世今生，該如何選擇？MOS管，IGBT管
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-03-17 閱讀：718 關(guān)鍵詞：MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了MOS管,IGBT管
TOSHIBA東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-03-12 閱讀：955 關(guān)鍵詞：TOSHIBA東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦東芝,光耦
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VG...
時間：2020-02-06 閱讀：900 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)
東芝推出面向電壓諧振電路1350V分立IGBT，有助于降低設(shè)備功耗
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨?！ |芝推出面向電壓諧振電...
時間：2019-12-24 閱讀：882 關(guān)鍵詞：東芝
同類的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開...
分類：動力電池/充電樁 時間：2019-10-30 閱讀：1078 關(guān)鍵詞：MOSFET，充電樁
基于IGBT驅(qū)動模塊的直流電動機(jī)驅(qū)動電源設(shè)計(jì)
直流電機(jī)相對交流電機(jī)有調(diào)速性能優(yōu)良、調(diào)速方便、平滑、調(diào)速范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，因此仍然廣泛應(yīng)用于很多工業(yè)場合。直流調(diào)速主要有以下幾種方式：電樞串電阻調(diào)速、改變電樞電壓調(diào)...
分類：工業(yè)電子 時間：2019-10-10 閱讀：1049 關(guān)鍵詞：電動機(jī),驅(qū)動電源設(shè)計(jì)
確定門極電荷Qg和門極電容 對于設(shè)計(jì)一個驅(qū)動器來說，最重要的參數(shù)莫過于門極電荷Qg的大小，同時確定實(shí)際的門極輸入電容Cies的大小，因?yàn)镈atasheet中給到的輸入電容大小...
時間：2019-07-26 閱讀：1327 關(guān)鍵詞：IGBT,驅(qū)動
對于IGBT的門極所需的驅(qū)動功率的大小計(jì)算，我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書的時候會根據(jù)其中的Qg或者輸入電容 Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個大致的計(jì)算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*...
時間：2019-05-31 閱讀：1437 關(guān)鍵詞：驅(qū)動
1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯了。不過相對于...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-05-28 閱讀：838 關(guān)鍵詞：MOSFET,IGBT
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵...
時間：2019-05-15 閱讀：652 關(guān)鍵詞：新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗開關(guān)
ROHM開發(fā)出滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動壓縮機(jī)※2）的逆變器電路和PTC加熱器※3）的開關(guān)電路，而且...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2019-05-13 閱讀：989 關(guān)鍵詞：ROHM開發(fā)出滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”半導(dǎo)體
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-05-09 閱讀：1228 關(guān)鍵詞：IGBT場效應(yīng)管的工作原理及檢測方法IGBT場效應(yīng)管
什么是“死區(qū)時間”？如何減小IGBT的死區(qū)時間
在現(xiàn)代工業(yè)中，采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用越來越多。為了保證可靠的運(yùn)行，應(yīng)當(dāng)避免橋臂直通。橋臂直通將產(chǎn)生不必要的額外損耗，甚至引起發(fā)熱失控，結(jié)果可能導(dǎo)致器件和...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-04-24 閱讀：3322 關(guān)鍵詞：什么是“死區(qū)時間”？如何減小IGBT的死區(qū)時間IGBT
沒有金剛鉆別攬瓷器活，用的就是一把大功率烙鐵加空壓機(jī)，烙鐵融化后用氣槍一吹就干凈了，拆一個IGBT模塊不用十分鐘。如果沒有空壓機(jī)，用大功率電烙鐵和吸錫器也不難，下邊...
