隨著新能源汽車的發(fā)展，高性能的電動汽車在市場上有較好的需求，特斯拉的Model3電機功率達到220kW，蔚來的ES6電機功率達到160kW。 為了滿足對大功率電機的高性能控制，需要不斷地提升電驅(qū)系統(tǒng)的功率密度。在電...
IDC 諫早電子開發(fā)IGBT適配器單元VLB520-01R, 可使用在薄型Duel配置IGBT模塊, 改善并聯(lián)使用效能。
諫早電子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模塊生產(chǎn)適配器單元VLB520-01R。 產(chǎn)品內(nèi)置柵極/發(fā)射極總布線長度調(diào)整電路, 對應(yīng)1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模塊組, 使用簡單高效的TLAC連接方式。令I(lǐng)GBT可輕...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-11-28 閱讀：6234 關(guān)鍵詞：IGBT適配器
保證IGBT的可靠工作，起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動電路和IGBT的保護，包括驅(qū)動電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護方法。 驅(qū)動電路的...
分類：電源技術(shù) 時間：2022-11-15 閱讀：394 關(guān)鍵詞：IGBT驅(qū)動電路
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計算過程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-11-02 閱讀：418 關(guān)鍵詞：二極管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。 1.IGBT結(jié)構(gòu)和工作原理 將IGBT結(jié)構(gòu)簡化為等效電路，可以看出是雙極性晶體管和MOSFET組成的...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-10-29 閱讀：819 關(guān)鍵詞：電子
PI 汽車級驅(qū)動板SCALETM EV優(yōu)化并保障SiC和IGBT開關(guān)電路
前不久深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（PI）推出了一款SCALETM EV系列門極驅(qū)動板，該驅(qū)動板通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)AS...
Infineon - 英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模塊，大幅提升逆變器的功率密度
英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）近日發(fā)布了采用EconoDUAL 3標準工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-06-16 閱讀：589 關(guān)鍵詞：逆變器
Infineon - 英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT ，進一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI），進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該PPI專為輸配電應(yīng)用而設(shè)計，是大電流...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-06-16 閱讀：487 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器
摘要 功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-06-10 閱讀：433 關(guān)鍵詞：IGBT
ST-意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。 IGBT驅(qū)動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-06-08 閱讀：578 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體
采用光耦驅(qū)動芯片實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的應(yīng)用方案
光耦驅(qū)動芯片HCPL-316J是Agilent公司［編者注：2014年8月更名為keysight（是德）公司］生產(chǎn)的柵極驅(qū)動電路產(chǎn)品之一，可用于驅(qū)動150A/1200V的IGBT，開關(guān)速度為0.5s，有過流...
時間：2022-05-26 閱讀：827 關(guān)鍵詞：IGBT
利用隔離DC／DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動電路的使用時長
由于IGBT小電流轉(zhuǎn)換大功率的能力，在電源中已是不可或缺的一部分。在不同類型的電路應(yīng)用中，IGBT已成了首選的解決方案，如變頻器。隨著電力費用的不斷上漲，變頻器可以有效...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-05-25 閱讀：345 關(guān)鍵詞：DC／DC轉(zhuǎn)換器
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。 ...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-05-19 閱讀：579 關(guān)鍵詞：IGBT
電力電子系統(tǒng)（如馬達驅(qū)動）中功率器件開關(guān)損耗的降低受到電磁干擾（EMI）或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-05-17 閱讀：580 關(guān)鍵詞：IGBT
功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路是集成電路的一個重要子類，功能強大，用于IGBT的驅(qū)動IC除了提供驅(qū)動電平和電流，往往帶有驅(qū)動的保護功能，包括退飽和短路保護、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩...
東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。 TLP5705...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-12-01 閱讀：573 關(guān)鍵詞：東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦東芝
ROHM開發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”
新開發(fā)出四款兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，該系列產(chǎn)品可內(nèi)置于空調(diào)、洗衣機等白色家電和小型工業(yè)設(shè)備（如工業(yè)用機器人用的小容量電機等）中，且非...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-06-11 閱讀：736 關(guān)鍵詞：ROHM開發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”ROHM
干貨！IGBT 是什么？應(yīng)用領(lǐng)域都有哪些？
從功能上來說，IGBT就是一個由晶體管實現(xiàn)的電路開關(guān)。當其導(dǎo)通時，可以承受幾十到幾百安培量級的電流；當其關(guān)斷時，可以承受幾百至幾千伏特的電壓。 家里的電燈開關(guān)是用按鈕控制的。IGBT作為晶體管的一種，它不用...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-05-07 閱讀：938 關(guān)鍵詞：干貨！IGBT 是什么？應(yīng)用領(lǐng)域都有哪些？IGBT
熱阻和熱阻抗的重要性 隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化，產(chǎn)品的散熱性能顯得尤為重要。熱設(shè)計在IGBT選型和應(yīng)用過程中至關(guān)重要，關(guān)系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問題，而模塊的熱阻和熱阻抗是系統(tǒng)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-04-29 閱讀：1543 關(guān)鍵詞：熱阻和熱阻抗，與IGBT選型和應(yīng)用熱阻
IGBT的分類及主要參數(shù)（PT-IGBT與NPT-IGBT區(qū)別）
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-04-29 閱讀：5110 關(guān)鍵詞：IGBT的分類及主要參數(shù)（PT-IGBT與NPT-IGBT區(qū)別）IGBT
