MOSFET 和 IGBT 技術
　　由于不存在少數(shù)載流子傳輸，MOSFET 可以以更高的頻率進行開關。對此的限制由兩個因素決定：電子穿過漂移區(qū)的傳輸時間以及對輸入柵極和米勒電容充電和放電所需的時間。
　　IGBT 繼承了 MOSFET 和 BJT 的優(yōu)點。它作為 MOSFET 運行，在其漏極側具有注入區(qū)，以提供漏極漂移區(qū)的電導率調制，從而降低導通狀態(tài)損耗，特別是與同等額定值的高壓 MOSFET 相比。
　　就驅動 IGBT 而言，它類似于 MOSFET，因此為驅動 MOSFET 設計的所有導通和關斷現(xiàn)象注釋、圖表和驅動電路同樣適用于 IGBT。因此，下文僅討論 MOSFET 模型。

　　圖 1 MOSFET 單元內部結構
　　集成電路驅動器
　　盡管使用硬連線電子電路驅動 MOSFET/IGBT 的方法有很多種，但 IC 驅動器提供的便利性和功能吸引了設計人員。重要的優(yōu)點是緊湊。IC 驅動器本質上提供較低的傳播延遲。由于所有重要參數(shù)均在 IC 驅動器中指定，因此設計人員無需經歷耗時的定義、設計和測試電路來驅動 MOSFET/IGBT 的過程。
　　可用于提升電流輸出的技術
　　具有 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 的圖騰柱級可用于提升 IC 驅動器的輸出。缺點是信號反相，并且共柵電壓轉換時存在擊穿。
　　采用電荷泵和自舉方法
　　為了驅動橋式拓撲、降壓轉換器或 2 晶體管正激轉換器中采用的相腳中的上部 MOSFET/IGBT，不能直接使用低側驅動器。這是因為上部 MOSFET/IGBT 的源極/發(fā)射極未處于地電位。

　　

　　圖 2 基本電荷泵倍增器
　　圖 2 顯示了電荷泵如何創(chuàng)建更高的 Vcc 以用于上部 MOSFET/IGBT 的驅動器 IC。這里，一對 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 充當開關，通過電容器和肖特基二極管交替將輸入電源電壓連接到輸出，將其隔離并幾乎加倍。采用數(shù)百kHz的開關頻率，因此，低紋波隔離輸出電壓可作為上MOSFET/IGBT驅動器的直流電源。
　　實際考慮
　　在設計和構建 MOSFET/IGBT 驅動電路時，必須注意幾個實際問題，以避免令人不快的電壓尖峰、振鈴振蕩和誤導通。通常，這些問題是由于電源旁路、布局以及驅動器與驅動 MOSFET/IGBT 不匹配不當或不充分造成的。