IGBT / MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-10-10 17:00:23
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處(例如外部柵極電阻器上)損失的功率。在以下示例中,我們將討論使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器)的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本設(shè)計(jì)指南也適用于 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器。
IGBT/MOSFET 柵極電阻
選擇 RG 值時(shí),重要的是要從柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān) MOSFET/IGBT 的角度來考慮。對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,我們選擇的 RG 在 IC 允許功耗額定值范圍內(nèi),同時(shí)提供/吸收盡可能高的驅(qū)動(dòng)器電流。從IGBT或MOSFET的角度來看,柵極電阻影響導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電壓變化dVCE/dt和電流變化diC/dt。
因此,當(dāng)設(shè)計(jì)人員選擇 IGBT 或 MOSFET 時(shí),選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器光耦合器非常重要,因?yàn)樵擈?qū)動(dòng)器的電流和額定功率決定了 IGBT 或 MOSFET 導(dǎo)通或關(guān)斷的速度。
柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器的功耗是 IGBT/MOSFET 的輸出側(cè)功率(紅色圓圈)和由于輸入 LED 功耗而產(chǎn)生的輸入側(cè)功率(藍(lán)色圓圈)的組合。由于驅(qū)動(dòng)集電極開路晶體管的電流很小,因此可以忽略用于故障反饋的第二個(gè) LED 的功耗。
計(jì)算步驟為:
根據(jù)峰值柵極電流計(jì)算所需的 RG
計(jì)算總功耗
將步驟 #2 中計(jì)算出的輸入和輸出功耗與 IC 的建議功耗進(jìn)行比較。(如果超過了推薦水平,則可能需要提高 RG 值以降低開關(guān)功率并重復(fù)步驟 #2。
在此示例中,ACPL-332J 的總輸入和輸出功耗是根據(jù)以下條件計(jì)算的:
IG = 離子, ~ 2.5 A
VCC2 = 18V
VEE = -5 V,(注:如果應(yīng)用中不需要負(fù)電壓電源,則 VEE = 0 V)
fSWITCH = 15 kHz
環(huán)境溫度 = 70°C
步驟 I:根據(jù) IOL 峰值規(guī)格計(jì)算 RG 值
為了找到峰值充電 IOL,假設(shè)柵極初充電至穩(wěn)態(tài)值 VCC。對(duì)于 ACPL-332J,70°C 時(shí) 2.5 A 輸出的電壓降線性近似為 6.3 V(圖 2:VOL 與 IOL)。因此應(yīng)用以下關(guān)系:
步驟 II:計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)器中的總功耗:
總功耗 (PT) 等于輸入側(cè)功耗 (PI) 和輸出側(cè)功耗 (PO) 之和:
[tex]P_{T} = P_{I} + P_{O}[/tex]
[tex]P_{I} = IF_{(ON)} ,max * V_{F},max[/tex]
在哪里,
[tex]IF_{(ON)},值 = 12 mA[/tex]
[tex]V_{F},值 = 1.95 V[/tex]
IF(ON) 可以在建議的工作條件下找到,VF 可以在 ACPL-332J 數(shù)據(jù)表的電氣規(guī)格表 5 中找到。
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