電磁治療儀 二
出處:kkkkdan 發(fā)布于:2008-09-16 00:00:00 | 3944 次閱讀
該電磁治療儀電路由超低頻振蕩器、磁脈沖產(chǎn)生電路和電源電路組成,如圖9-14所示。

超低頻振蕩器電路由時(shí)基集成電路IC、電阻器Rl、R2、電位器RP、電容器Cl、C2和二極管VDl組成。
磁脈沖產(chǎn)生電路由電阻器R3、晶體管V二極管VD2和電磁線圈L組成。
電源電路由電源開關(guān)S、電池GB、限流電阻器R4和電源指示發(fā)光二極管VL組成。
接通電源開關(guān)S,GB的6V直流電壓在供給超低頻振蕩器和磁脈沖產(chǎn)生電路的同時(shí),還經(jīng)R4限流降壓后將VLA亮。
超低頻振蕩器通電后振蕩工作,從IC的3腳輸出頻率可調(diào)的超低頻振蕩信號(hào),使V間歇導(dǎo)通。在IC的3腳輸出高電平時(shí),V飽和導(dǎo)通,L因有電流流過而產(chǎn)生磁場(chǎng);在lC的3腳輸出低電平時(shí),V截止,「中存儲(chǔ)的電能經(jīng)VD2快速泄放。這樣,隨著V間歇地導(dǎo)通,L即可產(chǎn)生脈沖磁場(chǎng)。
調(diào)節(jié)RP的阻值,可改變超低頻振蕩器的振蕩頻率,即改變此脈沖的頻率。
元器件選擇
Rl-R4選用1/4W的碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
RP選用小型有機(jī)實(shí)心電位器。
Cl和C3選用耐壓值為16V的鋁電解電容器;C2選用獨(dú)石電容器或滌綸電容器。
VDl選用1N4148型硅開關(guān)二極管;VD2選用1N4007型硅整流二極管。
V選用3DK4型硅NPN晶體管。
lC選用NE555型時(shí)基集成電路。
S選用觸頭電流容量大于2A的小型單極開關(guān)。
GB選用6V的小容量免維護(hù)蓄電池,也可使用小型直流穩(wěn)壓電源。
L使用φO.lmm左右的漆包線在φOmmx3Omm的磁棒上繞4200匝左右后制成。
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