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NTLJD3115PT1G
100000
WDFN6/24+
1比1質(zhì)量完美通用/包質(zhì)量可供更多
NTLJD3115PT1G
69000
DFN/24+
全新原裝現(xiàn)貨熱賣
NTLJD3115PT1G
2280
-/21+
全新原裝鄙視假貨
NTLJD3115PT1G
50000
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原廠渠道商，可支持60天賬期及180天承兌
NTLJD3115P
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NA/2015+
原裝正品，配單能手
NTLJD3115P
8500
DFN226L/2025+
原裝現(xiàn)貨
NTLJD3115P
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣
NTLJD3115P
26500
WDFN6/25+23+
汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒
NTLJD3115P
52701
WDFN6/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
NTLJD3115P
5000
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原裝正品，配單能手
NTLJD3115P
5000
-/25+
只做原裝，價格市場
NTLJD3115P
9200
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單
NTLJD3115P
2501
2016+/16+
代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
NTLJD3115P
5509
WDFN6/09+
20V,4.1A 雙P-ch MOS
NTLJD3115P
8500
DFN226L/2025+
原裝現(xiàn)貨
NTLJD3115P
8300
DFN226L/23+
原裝現(xiàn)貨
NTLJD3115P
8000
22+/NA
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NTLJD3115P
5000
WDFN6/24+
原廠直銷，提供技術(shù)支持
NTLJD3115P
5000
WDFN6/22+
只做原裝
NTLJD3115P
41001
WDFN6/24+
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
NTLJD3115P
Power MOSFET -20 V, -3.3 A, Dual P-C...
ON SEMICONDUCTOR
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NTLJD3115P-D
Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCo...
ON Semiconductor
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NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
NTLJD3115PT1GPDF下載
的肖特基二極管的正向電壓(vf)已經(jīng)是400 mv，這就導(dǎo)致無法提供足夠的電壓裕量。而且隨著充電電流的增加，肖特基二極管所促成的0.4 v極高壓降更會使其成為一個阻塞點。因此，在今后的解決方案中應(yīng)該避免使用fetky解決方案。 而在另一方面，通過用具有低v ce(sat)的晶體管或者具有低rds(on)的mosfet代替肖特基二極管，可以降低傳輸元件上的壓降，從而符合所需要的有限電壓裕量要求。例如，雙fet用作充電功率元件(如圖3(b)所示)就是一個更加合適的選擇。在這方面，安森美半導(dǎo)體的ntljd3115p和nthd4102p就是非常適合的選擇。其中，ntljd3115p是一款-20 v、-4.1 a、μcool? 雙p溝道功率mosfet，它采用2×2 mm的wdfn封裝，具有極低的導(dǎo)通阻抗，其0.8 mm的高度也使其非常適合纖薄的應(yīng)用環(huán)境；它針對便攜設(shè)備中的電池和負載管理應(yīng)用進行了優(yōu)化，適合于鋰離子電池充電和保護電路應(yīng)用及高端負載開關(guān)應(yīng)用。而nthd4102p是一款-20 v、-4.1 a雙p溝道chipfettm功率mosfet，同樣具有較小的占位面積和極低的導(dǎo)通阻抗，適合于纖薄的便攜應(yīng)用環(huán)
產(chǎn)品型號:NTLJD3115PT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):1
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏極電流Id(on)(A):1
通道極性:P/P溝道
封裝/溫度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL雙P溝道功率MOSFET
價格/1片(套):￥3...
電流參數(shù)：ID=-3.3A/IDM=-20A/IS=-1.9A電壓參數(shù)：UDSS=-20V/UGS=±8V功 率： PD=1.5W&/PD=0.71W其他參數(shù)：4.5V/75mΩ、2.5V/101mΩ、1.8V/150mΩ極 性：P備 注： 雙場效應(yīng)管/內(nèi)含二極管
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