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NTJD1155LT1G

更新時間:2025-07-04 01:25:35

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，杜絕假貨。

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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NTJD1155LT1G外觀圖

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD1155LT1G 概述

NTJD1155LT1G是由ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道器件采用SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器中。由于其小尺寸封裝和良好的電氣性能，在便攜式設(shè)備如智能手機和平板電腦中有廣泛應(yīng)用。在電路設(shè)計時，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，通常建議驅(qū)動電壓為4.5V或更高。此外，考慮到散熱需求，布局時應(yīng)盡量減小源極與漏極之間的PCB走線長度，并合理安排散熱過孔。對于需要更高電流能力的應(yīng)用，可以考慮并聯(lián)多個該型號MOSFET。

NTJD1155LT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
175 毫歐 @ 1.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
400mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJD1155LT1GOSTR

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