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NTLJD3115P

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  • NTLJD3115PT1G

    NTLJD3115PT1G

  • 56500

  • ON/安森美

  • SMD/2025+

  • 一級(jí)代理品牌，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，原廠原裝，量大可以發(fā)貨訂

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NTLJD3115P 相關(guān)資料

  • 其它信息：

    電流參數(shù)：ID=-3.3A/IDM=-20A/IS=-1.9A
    電壓參數(shù)：UDSS=-20V/UGS=±8V
    功  率： PD=1.5W&/PD=0.71W
    其他參數(shù)：4.5V/75mΩ、2.5V/101mΩ、1.8V/150mΩ
    極  性：P
    備  注： 雙場(chǎng)效應(yīng)管/內(nèi)含二極管

NTLJD3115P 相關(guān)信息
  • 手機(jī)USB充電和過(guò)壓保護(hù)解決方案
    ...s(on)的MOSFET代替肖特基二極管，可以降低傳輸元件上的壓降，從而符合所需要的有限電壓裕量要求。例如，雙FET用作充電功率元件(如圖3(b)所示)就是一個(gè)更加合適的選擇。在這方面，安森美半導(dǎo)體的NTLJD3115P和NTHD4102P就是非常適合的選擇。其中，NTLJD3115P是一款-20 V、-4.1 A、μCool? 雙P溝道功率MOSFET，它采用2×2 mm的WDFN封裝，具有極低的導(dǎo)通阻抗，其0.8 mm的高度也使其非常適...
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