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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>ntltd7900zr2 更新時間:2025-10-19 14:26:55

ntltd7900zr2供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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ntltd7900zr2中文資料

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 產(chǎn)品種類:

    MOSFET

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    20 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    +/- 12 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    6 A

  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:

    0.031 Ohms

  • 配置:

    Dual Dual Drain

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝 / 箱體:

    Micro-8

  • 封裝:

    Reel

  • 下降時間:

    1.17 ns

  • 最小工作溫度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    1.5 W

  • 上升時間:

    1.17 ns

  • 工廠包裝數(shù)量:

    3000

  • 典型關(guān)閉延遲時間:

    1.87 ns

  • NTLTD7900ZR2內(nèi)部電路圖

    　　NTLTD7900ZR2內(nèi)部電路如下圖所示：

    NTLTD7900ZR2內(nèi)部電路圖

    　　<...

  • NTLTD7900ZR2G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTLTD7900ZR2G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
    源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):26
    最大漏極電流Id(on)(A):9
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):MICRO-8/-55 ~150
    描述:20 V, 9A功率MOSFET
    價格/1片(套):￥4.00

  • NTLTD7900ZR2

    電流參數(shù)：ID=6A/IDM=30A/IS=1.4A電壓參數(shù)：UDSS=20V/UGS=±12V功 率： PD=1.5W其他參數(shù)：4.5V/21mΩ、2.5V/27mΩ極 性：N備 注：雙場效應(yīng)管

ntltd7900zr2替代型號

ntltd7900zr2相關(guān)熱門型號

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