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FDZ7064S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BG... FAIRCHILD FDZ7064SPDF下載
FDZ7064S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BG... FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FDZ7064SPDF下載

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fdz7064s中文資料

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用于CPU內(nèi)核的分布式電壓調(diào)節(jié)模塊
e capacitance）的mosfet并降低開(kāi)關(guān)頻率以外，幾乎沒(méi)有別的辦法能夠減小使這些損耗。一般而言，這類(lèi)損耗小于電路總損耗的1－3％?？梢暈槎?jí)效應(yīng)。元件選擇應(yīng)用本應(yīng)用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是同步降壓轉(zhuǎn)換器，它比其他拓?fù)淇梢蕴峁└训暮?jiǎn)化和高效率組合，以及最低的總體成本。圖1b所示為在mosfet的柵極和源極具有寄生電感的同步降低轉(zhuǎn)換器。圖1a的圖形基于擴(kuò)展的數(shù)學(xué)模型，表明效率是高端mosfet rds（on）和負(fù)載電流的函數(shù)。可以看出高端mosfet最佳的rds（on）值在7mω左右。這里選用了fdz7064s作為高端mosfet，以及兩個(gè)fdz5047n作為同步整流器。表2是它們的規(guī)格說(shuō)明電感選擇為1μh，這樣可以把電流紋波限制在易于處理的范圍之內(nèi)。布局方案布局應(yīng)遵循的主要原則是把所有的寄生效應(yīng)減至最小。具體如下： pcb寄生阻抗以8層2oz銅皮來(lái)處理。在bga封裝下面采用通孔，使得開(kāi)關(guān)電流從一開(kāi)始就進(jìn)行多層分流，從而大幅減小有效地引線(xiàn)阻抗。 mosfet封裝寄生阻抗。這里應(yīng)該選擇bga封裝，它比so8和dpak等封裝要好幾個(gè)數(shù)量級(jí)。pcb寄生電感。和前文一樣，在bga封裝下面采用通孔，使得

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fdz7064s替代型號(hào)

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