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飛兆半導(dǎo)體P溝道MOSFET提供業(yè)界最低RDS(ON)
日前，飛兆半導(dǎo)體公司 (farichild semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一p溝道m(xù)osfet器件fdz197pz，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v時提供64mohm之rds(on) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用wl-csp封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝mosfet具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。fdz197pz具有比其它的同級mosfet器件更強大的靜電放電(esd)保護功能(4kv)，能夠保護器件避免可能導(dǎo)致應(yīng)用失效的esd事件之應(yīng)力影響。 p溝道m(xù)osfet器件fdz197pz采用飛兆半導(dǎo)體性能先進的powertrench mosfet工藝技術(shù)制造，可以達(dá)到更低的rds (on) 、更高的負(fù)載電流和更小的封裝尺寸。這款wl-csp 封裝備有6 x 300µm無鉛焊球，以用于電路板連接，提供了比其它的wl-csp引腳輸出更出色的電氣性能和熱阻。其安裝時封裝高度
Farichild推出單一P溝道MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (farichild semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一p溝道m(xù)osfet器件fdz197pz，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v時提供64mohm之rds(on) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用wl-csp封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝mosfet具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。fdz197pz具有比其它的同級mosfet器件更強大的靜電放電(esd)保護功能(4kv)，能夠保護器件避免可能導(dǎo)致應(yīng)用失效的esd事件之應(yīng)力影響。 p溝道m(xù)osfet器件fdz197pz采用飛兆半導(dǎo)體性能先進的powertrench? mosfet工藝技術(shù)制造，可以達(dá)到更低的rds (on) 、更高的負(fù)載電流和更小的封裝尺寸。這款wl-csp 封裝備有6 x 300μm無鉛焊球，以用于電路板連接，提供了比其它的wl-csp引腳輸出更出色的電氣性能和熱阻。其安裝時封裝高度僅為0.65mm，為薄型產(chǎn)品設(shè)計

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維庫電子市場網(wǎng)-十六年專注打造電子元器件采購網(wǎng)

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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

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fdz197pz替代型號

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