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fdz191p供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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fdz191p價格行情

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fdz191p中文資料

  • 飛兆半導(dǎo)體新款小體積高性能功率MOSFET適用于便攜式產(chǎn)品

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出業(yè)界封裝最小的p溝道m(xù)osfet器件fdz191p,可為各種低壓(<20v)便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用對象包括:移動電話、數(shù)碼相機、mp3播放器、醫(yī)療設(shè)備,以及其它智能化,小型化的便攜式產(chǎn)品。 飛兆半導(dǎo)體的fdz191p器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計的功率mosfet。fdz191p作為powertrench mosfet,采用了飛兆半導(dǎo)體最新的晶圓級芯片尺寸封裝(wl-csp),因而具有出色的熱阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v時為67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封裝,與同類器件相比能節(jié)省至少30%的線路板空間,而且最大的封裝高度僅為0.65mm,使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費電子產(chǎn)品的設(shè)計。fdz191p還能夠工作于1.5v的低電壓,這在功率管理設(shè)計中是一個重要的特性。此外,fdz191p還滿足全球電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有"綠色"和rohs標(biāo)準(zhǔn)。 飛兆半導(dǎo)體低壓功率產(chǎn)品部市務(wù)

  • Fairchild推出P溝道MOSFET器件

    飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild) 推出業(yè)界封裝最小的p溝道m(xù)osfet器件fdz191p,可為各種低壓 (<20v) 便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用對象包括:移動電話、數(shù)碼相機、mp3播放器、醫(yī)療設(shè)備,以及其它智能化,小型化的便攜式產(chǎn)品。 飛兆半導(dǎo)體的fdz191p器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計的功率mosfet。fdz191p作為powertrench® mosfet,采用了飛兆半導(dǎo)體最新的晶圓級芯片尺寸封裝 (wl-csp),因而具有出色的熱阻 (83℃/w) 和低rds(on) (4.5v時為67mω)。fdz191p具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封裝,與同類器件相比能節(jié)省至少30% 的線路板空間,而且最大的封裝高度僅為0.65mm,使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費電子產(chǎn)品的設(shè)計。fdz191p還能夠工作于1.5v的低電壓,這在功率管理設(shè)計中是一個重要的特性。此外,fdz191p還滿足全球電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有“綠色”和rohs標(biāo)準(zhǔn)。 飛兆半導(dǎo)體低壓功

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    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出業(yè)界封裝最小的p溝道m(xù)osfet器件fdz191p,可為各種低壓(<20v)便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用對象包括:移動電話、數(shù)碼相機、mp3播放器、醫(yī)療設(shè)備,以及其它智能化,小型化的便攜式產(chǎn)品。 飛兆半導(dǎo)體的fdz191p器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計的功率mosfet。fdz191p作為powertrench mosfet,采用了飛兆半導(dǎo)體最新的晶圓級芯片尺寸封裝(wl-csp),因而具有出色的熱阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v時為67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封裝,與同類器件相比能節(jié)省至少30%的線路板空間,而且最大的封裝高度僅為0.65mm,使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費電子產(chǎn)品的設(shè)計。fdz191p還能夠工作于1.5v的低電壓,這在功率管理設(shè)計中是一個重要的特性。此外,fdz191p還滿足全球電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有"綠色"和rohs

  • 飛兆半導(dǎo)體MOSFET器件FDZ191P可工作于1.5V低電

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出業(yè)界封裝最小的p溝道m(xù)osfet器件fdz191p,可為各種低壓(<20v)便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用對象包括:移動電話、數(shù)碼相機、mp3播放器、醫(yī)療設(shè)備,以及其它智能化,小型化的便攜式產(chǎn)品。 飛兆半導(dǎo)體的fdz191p器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計的功率mosfet。fdz191p作為powertrench mosfet,采用了飛兆半導(dǎo)體最新的晶圓級芯片尺寸封裝(wl-csp),因而具有出色的熱阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v時為67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封裝,與同類器件相比能節(jié)省至少30%的線路板空間,而且最大的封裝高度僅為0.65mm,使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費電子產(chǎn)品的設(shè)計。fdz191p還能夠工作于1.5v的低電壓,這在功率管理設(shè)計中是一個重要的特性。此外,fdz191p還滿足全球電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有“綠色”和rohs標(biāo)準(zhǔn)。 fdz191p的

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