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fdmj1023pz中文資料

  • Fairchild推出面向便攜式應(yīng)用SC-75封裝MicroFET電源開關(guān)

    fairchild推出兩款microfet電源開關(guān)fdmj1023pz和fdfmj2p23z,可以用于低功耗(<30v)的應(yīng)用,如充電、異步dc/dc以及負(fù)載開關(guān)中。這兩款電源開關(guān)可以工作在低至1.5v的柵電壓。通過利用fairchild先進(jìn)的powertrench技術(shù),fdmj1023pz和fdfmj2p023z封裝為2.0mm x 1.6mm sc-75,比3 x 3mm ssot-6小65%,比sc-70封裝小20%。 這兩個2.0mm x 1.6mm microfet電源開關(guān)的優(yōu)點是它們可以提供與3mm x 3mm ssot-6封裝相同的電源開關(guān)相當(dāng)?shù)臒岷碗娞匦浴τ谀切⒃絹碓蕉喙δ芗傻皆絹碓叫cb空間的便攜式應(yīng)用,如蜂窩電話、數(shù)碼相機和游戲機等,在一個極其緊湊的封裝中提供優(yōu)化的性能成為關(guān)鍵。此外,這些應(yīng)用同樣也可以從這兩個芯片有保障的低至1.5v工作電壓中獲得好處。 fdmj1023pz和 fdfmj2p023z:1. 由于這兩個microfet電源開關(guān)比sc-70封裝的電源開關(guān)小20%,因此它們可以節(jié)約空間。2. 有保障的低至1.5v的工作電壓滿足了便攜應(yīng)用的需求。3. 優(yōu)

  • Fairchild新款MicroFET功率開關(guān)可降低便攜式應(yīng)

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗(<30v)應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75%的rds(on)和降低66%的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench技術(shù),封裝為2.0mm×1.6mm sc-75,較3×3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 這些2.0mm×1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm×3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z

  • Fairchild新款MicroFET功率開關(guān)可降低便攜式應(yīng)...

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗(<30v)應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75%的rds(on)和降低66%的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench技術(shù),封裝為2.0mm×1.6mm sc-75,較3×3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 這些2.0mm×1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm×3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p

  • MicroFET功率開關(guān)(飛兆)

    飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗 (<30v) 應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench® 技術(shù),封裝為2.0mm x 1.6mm sc-75,較3 x 3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65% 和20%。 這些2.0mm x 1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm x 3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: - 節(jié)省空

  • Fairchild新款MicroFET功率開關(guān)可降低便攜式應(yīng)用熱阻

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗(<30v)應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75%的rds(on)和降低66%的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench技術(shù),封裝為2.0mm×1.6mm sc-75,較3×3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65%和20%。 這些2.0mm×1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm×3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fd

  • 飛兆推MicroFET功率開關(guān)降低便攜應(yīng)用熱阻和Rds(on)

    飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗 (<30v) 應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75% 的和降低66% 的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench 技術(shù),封裝為2.0mm x 1.6mm sc-75,較3 x 3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65% 和20%。 這些2.0mm x 1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm x 3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: -節(jié)省空間,因為這些mic

  • Fairchild推出采用SC-75封裝的MicroFET功率開關(guān)

    飛兆半導(dǎo)體推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗 (<30v) 應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench® 技術(shù),封裝為2.0mm x 1.6mm sc-75,較3 x 3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65% 和20%。 這些2.0mm x 1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm x 3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: 節(jié)省空間,因為這些microfet開關(guān)較采用sc-70封裝的

  • 飛兆半導(dǎo)體推出采用SC-75封裝的MicroFET功率開關(guān)

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率開關(guān)產(chǎn)品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,適用于充電、異步dc/dc和負(fù)載開關(guān)等低功耗(<30v)應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5v的柵級驅(qū)動電壓下工作,同時提供較之于其它解決方案降低75%的rds(on)和降低66% 的熱阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的powertrench技術(shù),封裝為2.0mm x 1.6mm sc-75,較3 x 3mm ssot-6封裝及sc-70封裝體積分別減小65% 和20%。 這些2.0mm x 1.6mm microfet功率開關(guān)的優(yōu)勢是能夠提供出色的熱性能和電氣性能,它們的性能與3mm x 3mm ssot-6封裝的功率開關(guān)一樣。對于便攜式應(yīng)用如手機、數(shù)碼相機和游戲機等,在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要,因為更多的功能將要集成在越來越小的pcb空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5v柵極驅(qū)動電壓下運作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: ·節(jié)省空間,因為這些m

  • 飛兆半導(dǎo)體推出小型設(shè)備專用功率開關(guān) 封裝尺寸僅為2.0mm×1.6mm

    據(jù)日經(jīng)bp社報道,美國飛兆半導(dǎo)體(fairchild semiconductor)推出了封裝尺寸僅為2.0mm×1.6mm的功率開關(guān)“fdmj1023pz”以及“fdfmj2p023z”。適用于手機、數(shù)碼相機及便攜式游戲機之類小型設(shè)備的充電電路以及dc-dc轉(zhuǎn)換器等。 新產(chǎn)品采用相當(dāng)于sc-75的封裝,外形尺寸為2.0mm×1.6mm。比3mm×3mm的ssot-6封裝小了65%,比sc-70封裝小了20%。當(dāng)柵極驅(qū)動電壓為1.5v。源-漏極間電壓為-2.5v時,導(dǎo)通電阻為160mω,比以前產(chǎn)品降低了約75%。熱阻抗為89℃/w,比以前產(chǎn)品降低了66%。 價格方面,批量購買1000件時,fdmj1023pz為0.51美元,fdfmj2p023z為0.48美元。

fdmj1023pz替代型號

FDMF8705 FDMF8704V FDMF8704 FDMF8700 FDMF6704 FDMF6700 FDMC8200 FDMC7570S FDMC2610 FDMA6023PZT

FDMS2380 FDMS2672 FDMS86101 FDMS9600S FDMS9620S FDN147 FDN304P FDN337N FDN338P FDN360

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FDN302P FDW6923 FDS7096N3 FJP13009H2TU FDMS5672 FGH60N60SMD FDN336P FDA59N30 FP8102S6PTR FQA38N30

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