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Fairchild為便攜應用推出具有業(yè)界最低薄型器件
fairchild semiconductor(飛兆半導體公司) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低rds(on) 的20v 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型microfet mosfet器件。fdma6023pzt是采用緊湊、薄型封裝的雙p溝道m(xù)osfet，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術，實現(xiàn)更薄、更小的應用。fdma6023pzt采用超薄的微型引線框架的microfet 封裝，相比傳統(tǒng)的mosfet，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采用飛兆半導體性能先進的powertrench mosfet工藝技術，獲得極低的rds(on) 值、柵級電荷 (qg) 和米勒電荷 (qgd) — 這些都顯箸減少傳導損耗和提升開關性能。 fdma6023pzt 是飛兆半導體全面的 microfet mosfet 產(chǎn)品系列的一員，在應對當今功能豐富之便攜應用的功率設計挑戰(zhàn)方面起著關鍵的作用，該產(chǎn)品系列包括20v p溝道 powertrench mosfet 器件fdma1027pt，以及帶有肖特基二極管的20v p溝道powertrench mosfet

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開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

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輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應商設備封裝:

包裝:

其它名稱:

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