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fdma530pz中文資料

  • Fairchild推出MLP封裝小外形低功耗應(yīng)用MicroFET產(chǎn)品

    充電、負(fù)載開關(guān)、升壓與直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chriswinkler表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrenchmosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓(vgs)提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將效率提升至最高。

  • Fairchild推出MLP封裝小外形低功耗應(yīng)用MicroFET產(chǎn)品

    與直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chris winkler 表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流

  • 飛兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V應(yīng)用

    開關(guān)、升壓與直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chriswinkler表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrenchmosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓(vgs)提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將效率提升至

  • 飛兆半導(dǎo)體的MLP封裝MicroFET產(chǎn)品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

    、升壓與直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chris winkler 表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流 (

  • 飛兆半導(dǎo)體推出7款MLP封裝MicroFET產(chǎn)品

    載開關(guān)、升壓與直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chris winkler 表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流 (ir

  • 飛兆發(fā)布7款全新MicroFET,面向30V和20V應(yīng)用

    直流/直流轉(zhuǎn)換,以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應(yīng)用的理想選擇。 飛兆半導(dǎo)體通信產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)chris winkler表示:“飛兆半導(dǎo)體的microfet產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應(yīng)用設(shè)備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件,飛兆半導(dǎo)體為工程師提供了更為廣泛的microfet產(chǎn)品選擇,能提高其低壓應(yīng)用的熱性能和電氣性能,并同時(shí)節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護(hù)齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導(dǎo)通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當(dāng)中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將

fdma530pz替代型號(hào)

FDMA520PZ FDMA410NZ FDMA1027PT FDMA1027 FDMA1025P FDMA1024NZ FDMA1023PZ FDH44N50 FDH333 FDG901D

FDMA6023PZT FDMC2610 FDMC7570S FDMC8200 FDMF6700 FDMF6704 FDMF8700 FDMF8704 FDMF8704V FDMF8705

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