圖 1所示的無處不在的可變電阻電路網(wǎng)絡(luò)……

　　圖1經(jīng)典可調(diào)電阻； Rmax=Rs+Rr； Rmin = 盧比。　　...可以在圍繞數(shù)字電位器 (Dpot) 構(gòu)建的固態(tài)電路中進(jìn)行精確合成，如“合成目錄中沒有的精密 Dpot 電阻”中所述。盡管電位器電阻元件有公差，但其精度仍保持不變，并且與游標(biāo)電阻無關(guān)。電路見圖2 。

　　圖 2合成 Dpot 通過使用 FET 分流器、精密固定電阻器和運(yùn)算放大器來避免問題； Rab > Rmax； Rp = (Rmax -1 – Rab -1 ) -1 ; Rs = (Rmin -1 – Rab -1 – Rp -1 ) -1?！　〉匀淮嬖谝粋€(gè)棘手的問題：如果 Va – Vb 差分的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)怎么辦？圖 1 當(dāng)然可以毫不猶豫地適應(yīng)這一點(diǎn)，但它對(duì)于圖 2 來說是一個(gè)殺手。

　　圖 3顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單但不幸的是不可行的解決方案。
　　圖 3簡(jiǎn)單地并聯(lián)互補(bǔ) N 和 P 溝道 MOSFET 可能看起來不錯(cuò)，但在 |Va – Vb| 超過幾百 mV 時(shí)就無法工作。　　問題當(dāng)然是由 MOSFET 常見的寄生體二極管引起的，如果反極性源極-漏極壓差超過零點(diǎn)幾伏，該寄生體二極管就會(huì)導(dǎo)通并旁路晶體管。

　　圖 4顯示了我能想到的最簡(jiǎn)單（不是很簡(jiǎn)單）的解決方案。
　　圖 4兩個(gè)并聯(lián)的互補(bǔ)反串聯(lián) FET 對(duì)允許雙極操作。
　　對(duì)圖 4 的檢查顯示，已與圖 3 中的并聯(lián)互補(bǔ)晶體管以及極性比較器放大器 A2 一起添加了幾個(gè)額外的 FET，以反串聯(lián)方式添加。當(dāng) (Va – Vb) > 0 時(shí)，A2 啟用 Q1/Q2 對(duì)，當(dāng) (Va – Vb) < 0 時(shí)，A2 啟用 Q3/Q4。
　　TLV9152 具有 4.5 MHz 增益帶寬、400 ns 過載恢復(fù)能力和 21 V/μs 壓擺率，是該應(yīng)用的相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。然而，對(duì)于低信號(hào)幅度和高于 10 kHz 左右的頻率，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)顯著的交叉失真。