利用低壓晶體管進(jìn)行高壓電流檢測
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2024-09-19 16:55:58 | 332 次閱讀
這種電路以及所有使用這種拓?fù)涞碾娐返撵`感源自電流鏡拓?fù)浜鸵韵赂拍睿篟sense 中的變化電流以及因此 Rsense 兩端的電壓會以線性方式改變 Re2 中的電流以及因此 Rc1 兩端的電壓。
圖 1 中的電路的實用性歸功于 Re1 和 Re2。使 Ireffairy 非常小,使 Re2 和 Re1 非常大且值相等,可增加發(fā)射極電壓相對于 Rsense 兩端電壓的相對值。這反過來又降低了當(dāng)負(fù)載在無負(fù)載和滿負(fù)載之間變化時輸出器件的 Vce 的變化。
因此,通過合理選擇 Iref、Re1、Re2、Rc2 和 Rc1,可以防止 Q2 進(jìn)入飽和狀態(tài),同時不會超過晶體管的最大工作電壓。請記住,hoe=I(集電極)/VA (早期電壓)意味著減少 Icals 的變化會減少 β 的變化,從而改善線性度。Rc是 Rc1 和 Rc2 的總和,因此 Rc1/Rc 比率決定了無負(fù)載時 Vout? 處的偏移量。滿載時 Rsense 上產(chǎn)生的電壓決定了 Re2 和 Rc1 中電流的變化,因此決定了 Vout? 處的滿量程輸出。一旦確定了 Iref 的值,計算 Rc 和 Rd 上所需的無負(fù)載電壓就很簡單了。通過使用發(fā)射極電阻,變化的 Vce 對 Q2 的 β 的影響顯著降低,并且檢查模擬數(shù)據(jù)表明 β 的變化對負(fù)載電流和輸出電壓之間的相關(guān)性的影響相對較小。從所獲得的結(jié)果來看,使用類似于威爾遜電流鏡的配置可能是不必要的?! D 2 和圖 3顯示了恒流源產(chǎn)生 Iref 的替代方案。如果 Vss 穩(wěn)定且無紋波,則可以省略恒流發(fā)生器,并可以選擇 Rd 的值來提供 Iref。
圖2恒流源產(chǎn)生Iref的替代方案。
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