解釋了使用此技術(shù)實現(xiàn)的基本操作。在本部分中，對傳統(tǒng)帶隙電路進行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差最小化。圖 1 顯示了傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)實現(xiàn)及其相關(guān)誤差源。

　

　　圖 1 中沒有誤差源的帶隙電壓可用下式描述。

　　下面添加誤差源，假設(shè)所有失配誤差都是

　　　條件、錯誤級別和選擇的設(shè)計參數(shù)：

　　使用上述參數(shù)的誤差計算：

　　低功耗開關(guān)電容帶隙，第 2 部分
　　從上圖可以看出，輸入失調(diào)電壓是主要誤差源，因此消除此誤差對實現(xiàn)準(zhǔn)確的帶隙電壓大有裨益。因此，讓我們繼續(xù)討論開關(guān)電容器的實現(xiàn)，看看如何處理此誤差，以及其他誤差的比較情況。
　　圖 2 顯示了開關(guān)電容帶隙電路，其中添加了一個簡單附加部分（標(biāo)記為“新”），用于執(zhí)行偏移電壓消除。該圖是初始采樣狀態(tài)（本系列第一部分中的圖 1）的修改版。在此狀態(tài)下，反饋電容器 C?? 現(xiàn)在一側(cè)連接到共模輸出電壓 (vcm)，另一側(cè)連接到 OTA 的輸入，電路中的其余電容器也是如此。因此，在此階段，輸入偏移電壓在所有電容器上進行采樣。　　圖 2

　　帶偏移校正的初始采樣　　在下一個狀態(tài)下，φ1 開關(guān)打開，φ2 開關(guān)關(guān)閉，之前連接到 vcm 的兩個 C反饋電容的端子連接到輸出。兩者保持相同的端子電壓，因此 OTA 失調(diào)電壓已從差分輸出中消除。

　　帶偏移校正的初始采樣
　　傳統(tǒng)帶隙電路中第二大誤差因素是 R 0 和 R 1之間的不匹配。這些電阻用于增加 (R 0 / R 1 ) PTAT 電壓。如本系列第一部分所述，在開關(guān)電容電路中，PTAT 電壓是使用電容比 (2C'/C'') 而不是電阻比來增加的。這是有益的，因為電容器的不匹配（每單位面積）遠小于多晶硅電阻器的不匹配，在我目前正在研究的工藝中相差約 5 倍。這將第二大誤差從 6.3 mV降低 到 1.3 mV。
　　這種開關(guān)電容架構(gòu)的最后一個優(yōu)點是出色的電源抑制 (PSR) 性能，這源于電路的差分特性。差分 OTA 的對稱設(shè)計可對電源上的信號進行一級抵消。