另一種獲得高GB運(yùn)算放大器的方法是將一個高增益、低頻運(yùn)算放大器和一個低增量、簡頻運(yùn)算放大器并聯(lián)應(yīng)用，以獲得一個高GB的運(yùn)算放大器。

這個概念如圖 7.2-14所示。[7]。思路是用低頻運(yùn)算放大器實現(xiàn)低頻時的高增益。但是，這個運(yùn)算放大器具有高階極點， 這將使得放大器為有條件穩(wěn)定。一個運(yùn)算放大器的有條件穩(wěn)定是指在某些反饋值時反饋放大器不穩(wěn)定。這經(jīng)常發(fā)生在小的閉環(huán)增益的時候。低增益放大器用來擴(kuò)展高增益運(yùn)算放大器第二極點((p)上方的斜率為-20dB/十倍頻。結(jié)果產(chǎn)生一個主極點在、p、GB 為|p|和|A(0)A(0)|乘積的運(yùn)算放大器。幅度Ax=1(0/dB|Awel(s)|vAI|Aa(s)|YoutA(0)|dBYin|P3|A2vo20dB-GBP2|log10(f)P1|(b)(a)圖7.2-14 (a)用并聯(lián)放大器方法實現(xiàn)高GB；(b)(a)所對應(yīng)的幅頻響應(yīng)　

　為了正確使用這種技術(shù)，兩個放大器增益的符號應(yīng)當(dāng)是相同的，即同時為正或同時為負(fù)。如果不同，就會在右半平面出現(xiàn)零點， 并影響穩(wěn)定性。圖7.2-15更詳細(xì)地給出了如何使用三級放大器實現(xiàn)這個想法。這一技術(shù)稱為多路嵌套米勒補(bǔ)償[7]。通過兩路相加產(chǎn)生左平面零點來抵消高增益路徑的第二個高階極點，使-20dB/十倍頻斜率延伸到低增益路徑的第二個高階極點。需要注意的是，米勒補(bǔ)償產(chǎn)生的右半平面零點得以抵消， 且極零點對不會產(chǎn)生慢的時間常數(shù)問題。對于感興趣的讀者, 用于圖7.2-15 的分析公式和其他結(jié)構(gòu)在Eschauzier 和 Huijsing 文中[7]有詳細(xì)論述。

　　這一節(jié)給出了一些擴(kuò)展運(yùn)算放大器頻率響應(yīng)的方法。在所有的放大器中，頻率響應(yīng)都受到單位增益帶寬的限制。在絕大多數(shù)的 MOSFET運(yùn)算放大器中，單位增益帶寬是用輸入跨導(dǎo)和產(chǎn)生主極點的電容的比值給出的。采用CMOS 技術(shù)來獲得超過100 MHz的單位增益帶寬是很困難的。在許多應(yīng)用中，運(yùn)算放大器用負(fù)反饋來實現(xiàn)低增益放大器。