在電子電路領(lǐng)域，MOS 管是一種極為重要的電子元件。2025 年 8 月 3 日消息，本文將以詳細(xì)圖文的形式，為大家深入介紹 MOS 管參數(shù)的測(cè)試方法。

溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管 Trench MOSFET 作為目前較為常用的金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有顯著的優(yōu)勢(shì)。它具備低導(dǎo)通電阻和低柵漏電荷密度的特點(diǎn)，這使得其功率損耗低、開關(guān)速度快。而且，由于 Trench MOSFET 屬于垂直結(jié)構(gòu)器件，能夠進(jìn)一步提高溝道密度，減少芯片尺寸，從而讓功率場(chǎng)效應(yīng)管的 SMD 微型封裝成為現(xiàn)實(shí)。

在手機(jī)電池保護(hù)電路中，常常會(huì)用到兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管共漏極使用的 MOSFET。這是因?yàn)樵谑謾C(jī)保護(hù)電路中，既需要進(jìn)行過充檢測(cè)，也需要進(jìn)行過放檢測(cè)。該類 MOSFET 的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如下圖虛線內(nèi)所示：

當(dāng)我們打開該類 MOS 的規(guī)格書時(shí)，會(huì)看到許多相關(guān)參數(shù)：

接下來，我們?cè)敿?xì)介紹這些參數(shù)的測(cè)試方法。需要注意的是，下文中加粗字體為變量，需根據(jù) MOS 規(guī)格書來確定實(shí)際參數(shù)。

1、VSSS 耐壓測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VGS = 0V，VSS1 從 0V 以 0.1V 步增，逐漸增加電壓至 IS = 1mA，且 MOS 無損毀，記錄 VSS1 的電壓。

同時(shí)，按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VGS = 0V，VSS2 從 0V 以 0.1V 步增，瞬間增加電壓至 IS = 1mA，且 MOS 無損毀，記錄 VSS2 的電壓。

2、ISSS 電流測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VSS = 12V，VGS = 0V，記錄下 ISSS。

3、VGS (th) 開啟電壓測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VSS = 6V，以 0.1V 同步增加 VGS1 的電壓，直至 ISS = 1mA，記錄下此時(shí) VGS1 的電壓，同理測(cè)試另一 FET 的 VGS2。

4、IGSS 柵極漏電流測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VSS = 0V，VGS1 = ±8V，記錄下 IGSS1，同理測(cè)試另一 FET 的 IGSS2。

5、RSS (on) 內(nèi)阻測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 IS = 6A，分別測(cè)試 VGS 等于 4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V 時(shí)，S1 與 S2 兩端的電壓 VS1S2，RSS（on） = VS1S2 / 6A。

6、VFSS 二極管導(dǎo)通電壓測(cè)試

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置 VGS2 = 4.5V，VGS1 = 0V，VS1S2 = 4.5V，IS1S2 = 6A，記錄下測(cè)試的 VFSS1。同理，設(shè)置 VGS1 = 4.5V，VGS2 = 0V，VS2S1 = 4.5V，IS2S1 = 6A，記錄下測(cè)試的 VFSS2。

綜上所述，通過這些詳細(xì)的測(cè)試方法，我們可以準(zhǔn)確地獲取 MOS 管各項(xiàng)參數(shù)，從而更好地了解和應(yīng)用 MOS 管。這對(duì)于電子工程師在電路設(shè)計(jì)和調(diào)試過程中具有重要的指導(dǎo)意義。