晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)的轉(zhuǎn)換中的電子設(shè)備至關(guān)重要， 在其截止狀態(tài)或飽和狀態(tài)下晶體管的操作。某些電子設(shè)備（例如LED）需要幾毫安的電源，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。但是，高功率電子設(shè)備（例如電磁閥，燈和電動機）比邏輯門供應(yīng)需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。
　　圖片使用的Adobe股票

　　晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域

　　圖1中圖上的藍色陰影區(qū)域表示飽和區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域則表示截止區(qū)域。
　　圖1。晶體管操作區(qū)域。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供這些區(qū)域被定義為：
　　飽和區(qū)域。這是將晶體管在收集器處以為電流的基本電流和電壓下降的區(qū)域，在收集器發(fā)射器處將其值下降，這又使耗盡層盡可能微小，從而使電流的流動流過我們的晶體管。這使晶體管打開。圖2證明了飽和區(qū)域的特征。
　　輸入和底座連接到V CC
　　堿發(fā)射器電壓V為> 0.7V
　　基本發(fā)射線交界處是向前偏見的
　　基礎(chǔ) - 收集器連接處有偏見
　　晶體管是“全面”（飽和區(qū)域）
　　收集器電流流（I C = V CC /R L）
　　V CE = 0（理想飽和）
　　v out = v ce =“ 0”

　　晶體管作為“封閉開關(guān)”運行

　　圖2。飽和區(qū)域特征。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供截止區(qū)域。在這里，輸入堿電流和輸出收集器電流為零，收集器電壓處于值，導(dǎo)致較大的耗竭層，零電流流過晶體管。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。
　　截止區(qū)域特征如下所示：
　　輸入和底座是接地的（0V）
　　堿發(fā)射器電壓V為<0.7V
　　基本發(fā)射線連接處是反向偏見的
　　基礎(chǔ)接口相反
　　晶體管是“完全關(guān)閉的”（截止區(qū)域）
　　沒有收集器電流流（I C = 0）
　　v out = v ce = v cc =“ 1”

　　晶體管作為“打開開關(guān)”運行

　　圖3。截止區(qū)域特征。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供晶體管操作類似于單極單插曲固態(tài)開關(guān)的操作，當在其底座上應(yīng)用零信號時，它將保持關(guān)閉，在這種情況下，它充當開放開關(guān)，零收集器電流流動。當我們將正信號應(yīng)用于晶體管的底部時，它會打開，在這種情況下，它充當封閉開關(guān)，其中電流流過它。

　　基本晶體管開關(guān)電路

　　圖4。基本的NPN晶體管開關(guān)電路。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供該電路類似于公共發(fā)射極電路的電路。不同之處在于，我們需要完全打開晶體管（飽和）或完全關(guān)閉（截止），以便能夠作為開關(guān)操作。
　　當完全關(guān)閉電流流通過它的0電流流動時，一個理想的晶體管開關(guān)在發(fā)射器和收集器之間具有無限的電阻，并且在完全對準的發(fā)射器和收集器之間的0導(dǎo)致電流流到值時。
　　實際上，當晶體管在完全關(guān)閉時的切斷時運行時，我們將有少量的泄漏電流。另一方面，在飽和區(qū)域操作時，該設(shè)備具有低電阻，導(dǎo)致我們稱為飽和電壓的小電壓的流動（V CE）。
　　為了使基本電流開始流動，基本端子必須比發(fā)射器更正。對于硅設(shè)備，底座必須具有至少0.7伏的偏置輸入電壓。改變基本發(fā)射極電壓（V BE）會改變基本電流，后者又改變了流過給定晶體管的收集器電流。
　　如果我們達到收集器電流的流量，則晶體管將飽和。放置晶體管所需的輸入電壓和電流由基本電阻確定讓我們假設(shè)
　　b = 200，i c = 6mA，i b = 25UA
　　找到在輸入的電壓超過3.0V時，找到在晶體管上完全供電所需的基本電阻（R B ）值解決方案
　　\（r_  =（v_ {in} -v_ {be}）/i_ \）\（r_  =（3.0V-0.7）/25x10 \）^\（-6 \）\（R_ {B} = 92K \ Omega \）

　　保證飽和晶體管開關(guān)的值為82kΩ。

　　圖5。數(shù)字邏輯晶體管開關(guān)。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供在上述電路中，R B 是從數(shù)字邏輯門限制輸出電流所必需的。
　　PNP晶體管開關(guān)

　　PNP晶體管可以與NPN晶體管相同。區(qū)別在于，在PNP中，負載始終連接到地面，PNP將用于將功率切換為負載。為了打開PNP晶體管，我們必須如圖6所示地面底座。

　　圖6。PNP晶體管的開關(guān)電路。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供用于計算收集器電流，基本電阻和電壓計算的PNP晶體管方程仍然與NPN計算中使用的相同。區(qū)別在于開關(guān)電流。對于PNP，開關(guān)電流是采購電流。對于NPN，它是下沉電流。
　　達靈頓晶體管開關(guān)
　　這涉及使用多個開關(guān)晶體管，因為有一段時間，單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中，一個小的輸入雙極連接晶體管（BJT）晶體管參與打開和關(guān)閉較大的電流保持輸出bjt晶體管。
　　為了化信號增益，兩個晶體管以達靈頓的配置連接，其中包含兩個NPN或PNP雙極晶體管互連的互連，使得晶體管1的當前增益乘以晶體管2的當前增益，終與具有較高基礎(chǔ)較小基礎(chǔ)電流的單個晶體管相同的設(shè)備，以較小的基礎(chǔ)電流的應(yīng)用。
　　該晶體管的總電流增益值是每個晶體管的個體值的產(chǎn)物；\ [\ beta_ {total} = \ beta_ {1} \ times \ beta_ {2} \] \]

　　以下是Darlington晶體管開關(guān)配置。

　　圖7。NPNDarlington配置。圖片由西蒙·穆尼瓦（Simon Munyua Mugo）提供在NPN Darlington的配置中，兩個晶體管的收集器連接在一起，而第二晶體管的底部連接到晶體管的發(fā)射極。從配置中，我們可以看到晶體管的發(fā)射器電流成為將其打開的第二晶體管的基本電流。