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  • Vishay推出功率MOSFETSi7633DP與Si7135DP

    0v時(shí))和19.5%(在4.5v 時(shí))。 這次推出的兩款mosfet均采用powerpak so-8封裝,可容許比其它so-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開(kāi)關(guān),用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開(kāi)關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài),消耗電流。si7633dp 和si7135dp的低導(dǎo)通電阻能耗低,節(jié)省電力并延長(zhǎng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。 vishay還推出了采用so-8封裝的si4459ady 30v p通道trenchfet功率mosfet。該器件具有5mω(在10v時(shí))和7.75mω(在4.5v時(shí))的導(dǎo)通電阻。此次推出的所有器件100%通過(guò)rg和uis認(rèn)證,且不含鹵素。 目前,該新型si7633dp和si7135dp trenchfet功率mosfet可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為10至12周。 歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.udpf.com.cn)

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