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帶有此標(biāo)記的料號(hào)：
1. 表示供應(yīng)商具有較高市場(chǎng)知名度，口碑良好，繳納了2萬(wàn)保證金，經(jīng)維庫(kù)認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。
2. 供應(yīng)商承諾此料號(hào)是“現(xiàn)貨” ，如果無(wú)貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實(shí)際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎(jiǎng)勵(lì)您500元。
2490
SOIC8/1129+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
SI4398DY-T1-E3
80000
SOIC8/23+
原裝現(xiàn)貨
SI4398DY
48000
10+/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
SI4398DY
8000
10+/22+
原裝現(xiàn)貨，配單能手
SI4398DY
5000
10+/24+
優(yōu)勢(shì)渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
SI4398DY
21403
10+/23+
原裝現(xiàn)貨，長(zhǎng)期供應(yīng)
SI4398DY
60701
10+/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照
SI4398DY
5000
10+/23+
原裝庫(kù)存，提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
SI4398DY
5000
10+/23+
優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品大量庫(kù)存原裝現(xiàn)貨
SI4398DY
8700
10+/23+
原裝現(xiàn)貨
SI4398DY
7300
10+/23+
原裝現(xiàn)貨
SI4398DY
3000
10+/SOP8
原裝正品熱賣，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
SI4398DY
526
10+/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
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12260
10+/23+
高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
SI4398DY
3180
23+/10+
特價(jià)原裝現(xiàn)貨，一站配齊
SI4398DY
63422
10+/2215+
原裝現(xiàn)貨，可提供一站式配套服務(wù)
SI4398DY
28800
10+/22+
原裝現(xiàn)貨，提供配單服務(wù)
SI4398DY
5000
10+/21+
原裝現(xiàn)貨假一罰十
SI4398DY
10000
10+/2019+
原裝配單報(bào)價(jià)
SI4398DY
42100
10+/24+
只做原裝，提供一站式BOM表電子配單服務(wù)
s.width=500}" border=0> 日前推出的這三款n通道m(xù)osfet具有20v漏極到源極與柵極到源極額定值，并且在so-8占位面積中具有低至1.6毫歐的導(dǎo)通電阻規(guī)格。與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些vishay siliconix功率mosfet的導(dǎo)通電阻性能比市場(chǎng)上具有相同電壓規(guī)格及封裝類型的僅次之的器件低36%。設(shè)計(jì)人員將根據(jù)他們應(yīng)用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款trenchfet第二代器件中進(jìn)行選擇。 與采用so-8封裝的任何類似功率mosfet相比，新型si4398dy的導(dǎo)通電阻低36%，在10v時(shí)rds(on)額定值為2.8毫歐。除or-ing應(yīng)用外，si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換電路。對(duì)于低壓電源，在采用so-8封裝的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當(dāng)功率增加時(shí)，采用熱增強(qiáng)型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流，從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中，這可實(shí)現(xiàn)通過(guò)12v的軌電壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)最佳散熱效果，vish
這些器件的功耗可極大降低能源成本。 日前推出的這三款n通道m(xù)osfet具有20v漏極到源極與柵極到源極額定值，并且在so-8占位面積中具有低至1.6毫歐的導(dǎo)通電阻規(guī)格。與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些vishay siliconix功率mosfet的導(dǎo)通電阻性能比市場(chǎng)上具有相同電壓規(guī)格及封裝類型的僅次之的器件低36%。設(shè)計(jì)人員將根據(jù)他們應(yīng)用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款trenchfet第二代器件中進(jìn)行選擇。 與采用so-8封裝的任何類似功率mosfet相比，新型si4398dy的導(dǎo)通電阻低36%，在10v時(shí)rds(on)額定值為2.8毫歐。除or-ing應(yīng)用外，si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換電路。對(duì)于低壓電源，在采用so-8封裝的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當(dāng)功率增加時(shí)，采用熱增強(qiáng)型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流，從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中，這可實(shí)現(xiàn)通過(guò)12v的軌電壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)最佳散熱效果，v
日前推出的這三款 n 通道 mosfet 具有 20v 漏極到源極與柵極到源極額定值，并且在 so-8 占位面積中具有低 至 1.6 毫歐的導(dǎo)通電阻規(guī)格。與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些 vishay siliconix 功率 mosfet 的導(dǎo)通電阻性能比市場(chǎng)上具有相同電壓規(guī)格及封裝類型的僅次之的器件低 36%。 設(shè)計(jì)人員將根據(jù)他們應(yīng)用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款 trenchfet® 第二代器件中進(jìn)行選擇。 與采用 so-8 封裝的任何類似功率 mosfet 相比，新型 si4398dy的導(dǎo)通電阻低 36%，在 10v 時(shí) rds(on)額定值為 2.8 毫歐。除 or-ing 應(yīng)用外，si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換電路。 對(duì)于低壓電源，在采用 so-8 封裝的器件中，si4398dy具有最佳的 rds(on)額定值。當(dāng)功率增加時(shí)，采用熱增強(qiáng)型封裝的功率 mosfet 可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流，從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中，這可實(shí)現(xiàn)通過(guò) 12v 的軌電壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實(shí)
的整個(gè)負(fù)載，因此降低這些器件的功耗可極大降低能源成本。 日前推出的這三款n通道m(xù)osfet具有20v漏極到源極與柵極到源極額定值，并且在so-8占位面積中具有低至1.6毫歐的導(dǎo)通電阻規(guī)格。與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些vishay siliconix功率mosfet的導(dǎo)通電阻性能比市場(chǎng)上具有相同電壓規(guī)格及封裝類型的僅次之的器件低36%。設(shè)計(jì)人員將根據(jù)他們應(yīng)用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款trenchfet第二代器件中進(jìn)行選擇。 與采用so-8封裝的任何類似功率mosfet相比，新型si4398dy的導(dǎo)通電阻低36%，在10v時(shí)rds(on)額定值為2.8毫歐。除or-ing應(yīng)用外，si4398dy還可用于低功耗整流、直流到直流以及負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換電路。對(duì)于低壓電源，在采用so-8封裝的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)額定值。當(dāng)功率增加時(shí)，采用熱增強(qiáng)型封裝的功率mosfet可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流，從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中，這可實(shí)現(xiàn)通過(guò)12v的軌電壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增加功率密度。 為在靜止空氣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)最佳散熱效果，vishay
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